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[期刊论文] 作者：陶长远,,
来源：红外与激光技术 年份：1990
以CdTe为衬底的Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层表面边角处时常出现交错直线线痕,其所及之处破坏了表面的光洁度和平整性.对交错直线线痕进行了研究分析,并首次提出CdTe衬底中交错...
[期刊论文] 作者：陶长远,
来源：半导体光电 年份：1990
本文首次报导了作为 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延衬底的 CdTe 晶片中存在着狭窄的微细孪晶,其宽度由数十微米到数微米。这些微细孪晶在液相外延过程中将向Hg_(1-x)Cd)_xTe 外延...
[期刊论文] 作者：陶长远,
来源：激光与红外 年份：1989
在改进的开管液相外延生长系统中用富碲母液已经重复地长出了长波(8～14μm)Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层。在外延过程中低温区的纯汞能够起到维持系统的汞压平衡和调整母液组份的...
[学位论文] 作者：陶长远,
来源：西安电子科技大学 年份：2010
倒立摆系统是一个典型的机电一体化系统。倒立摆属于典型的单输入多输出、多变量、非线性、强耦合,不稳定的高阶系统。它不仅具有生动直观的教学特点,而且在研究方面同样具有...
[期刊论文] 作者：陶长远,,
来源：半导体光电 年份：1990
本文首次报导了作为 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延衬底的 CdTe 晶片中存在着狭窄的微细孪晶,其宽度由数十微米到数微米。这些微细孪晶在液相外延过程中将向Hg_(1-x)Cd)_xTe 外延...
[期刊论文] 作者：K.L.Conway,陶长远,,
来源：红外技术 年份：2004
在液氮温度下对Hg_(0.64)Cd_(.36)Te外延层注~(11)B时(剂量为10~(15)cm~(-2),能量为250keV)所造成的晶体损伤成功地进行了退火。并用兆电子伏级的氦离子沟道和卢瑟福背散射(R...
[期刊论文] 作者：陶长远,阮宁,,
来源：城镇建设 年份：2020
此次研究以某工程为例,分析桩基施工泥浆固化处理新技术.通过分析结果可知,在工程施工期间,桩基施工泥浆固化处理新技术的适用性非常强,可以改善工程施工的泥浆处理问题,全面...
[期刊论文] 作者：陶长远,刘达清,,
来源：红外与激光技术 年份：1991
在国内本文首次报道用改进的开管等温汽相外延法,重复很好地生长出低x值Hg_(1-x)Cd_xTe汽相外延层,其组分、膜厚可控,x值低至0.16,膜厚达110μm。用金相显微镜、扫描电子显微...
[期刊论文] 作者：陶长远,刘达清,,
来源：红外与激光技术 年份：1993
本文首次报道单温区开管生长优质碲镉汞液相外延层,表面光亮、界面平坦清晰。组分x≤0.2时,均匀性△x=0.004,室温下红外透过率达50％以上,典型X射线双晶衍射迥摆曲线半峰宽为17...
[期刊论文] 作者：陶长远,刘达清,
来源：半导体光电 年份：2002
首次报道了在Si衬底采用化学汽相沉积(CVD)技术生长出直径达φ50mm的大面积优质3C-SiC薄膜,表面光亮如镜.作者利用X-射线衍射、傅里叶红外变换吸收谱、X-射线光电子能谱和霍...
[期刊论文] 作者：刘达清,陶长远,
来源：红外与激光技术 年份：1995
本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１－０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深能......
[期刊论文] 作者：刘达清,陶长远,,
来源：红外与激光技术 年份：1993
本文首次报道Hg1-xCdxTe液相外延生长终止后,由于Hg浅扩散和Cd从表面挥发造成外延层上表Hg含量上升而Cd含量下降,组分分布很不均匀。当这一表层达到一定厚度时将导致室温红外...
[期刊论文] 作者：陶长远,刘达清,
来源：红外与激光技术 年份：1994
国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜......
[会议论文] 作者：刘达清,陶长远,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
该文结合生长条件，首次较系统、深入地研究了以Si（lll）为衬底，采用化学汽相沉积技术所长3C-SiC薄膜的室温傅里叶变换红外透射谱与材料结晶形态、结晶化程度和组份的内在关系，结果......
[会议论文] 作者：陶长远;刘达清;,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
在国内，该文首次报道在Si衬底上，采用化学汽相沉积技术生长出直径达30mm的大面积优质3C-SiC单晶薄膜，表面光亮如镜，其（111）面的X射线衍射峰（20θ=35．6°）半高宽≤0．4°，室温付里叶变换红......
[会议论文] 作者：陶长远,何景福,
来源：第八届全国红外技术交流会 年份：1988
...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国光学与应用光学文摘 年份：1995
95010481GaAs上热壁外延Cd8.96Zn0.04Te薄膜=Growth ofCd0.96Zn0.04Te films on GaAs substrates byhot wall epitaxy[刊,中]/陶长远...
[期刊论文] 作者：刘达清,陶长远,陶,
来源：半导体光电 年份：1994
首次系统、深入地探讨了Ｈｇ（１－Ｘ）ＣｄｘＴｅ液相外延层的界面结构、组分分布对其室温红外透射谱诸项和吸收边的影响，详细分析了“假生长”的特征、形成机理及严重危害。For the first time, th......
[期刊论文] 作者：刘达清,陶长远,陶鹍,
来源：半导体光电 年份：1994
首次系统，深入地探讨了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延层的界面结构，组分分布对其室温红外透射谱谱顶和吸收边的影响，详细分析了“假生长”的特征，形成机理及严重危害。...
[期刊论文] 作者：何景福,陶长远,魏天衢,,
来源：红外技术 年份：1987
制备均匀的接近完整的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶非常困难,其主要原因是:CdTe对HgTe的分凝很严重;HK的蒸汽压很高。然而,采用富Te的Hg_(1-x)Cd_xTe溶液来生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜,可...
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