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在国内，该文首次报道在Si衬底上，采用化学汽相沉积技术生长出直径达30mm的大面积优质3C-SiC单晶薄膜，表面光亮如镜，其（111）面的X射线衍射峰（20θ=35．6°）半高宽≤0．4°，室温付里叶变换红外透射谱特征吸收峰（794．7cm<-1>）强，且狭窄尖锐，二者充分表明了晶体结构优异，组份单一。文章还指出适当调整生长条件可以基本消除界面处的晶格畸变。