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[期刊论文] 作者：,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
微波单片集成开关—…………………………·陈继义...
[期刊论文] 作者：陈继义,,
来源：新课程研究(基础教育) 年份：2010
强调学生的自主学习和创新意识的培养,是21世纪中学数学教育的主旋律。教学实践证明,问题是数学的心脏,学生的思维是伴随着层出不穷的问题而展开的。教学的最终目标就是教会...
[期刊论文] 作者：陈继义,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
为了适应当前电子系统工程中所提出的要求,南京电子器件研究所开展了宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作。 众所周知,受控速度低的PIN衰减器,一般电性能指标均较为...
[期刊论文] 作者：陈继义,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1983
PIN电调衰减器可分匹配型和反射型二种.常用的是匹配型衰减器;而反射型衰减器一般要配有隔离元件才能使用,所以实用价值较小.有关毫米波段PIN电调衰减器,迄今虽未见有产品报...
[期刊论文] 作者：陈继义,
来源：电子学报 年份：1965
本文研究了X波段上半导体变容二极管在负偏压下的等效电路,提出了测量二极管Q_d值和等效电路各参数值的三种方法。第一种方法是测量二极管在各偏压点下的输入阻抗与管壳阻抗...
[期刊论文] 作者：沈亚,陈继义,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和功能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件，利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集......
[期刊论文] 作者：陈继义,莫火石,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文介绍了全气密陶瓷封装GaAs MMIC开关的设计方法和制造工艺.研制成的GaAsMMIC单刀单掷开关在DC-12GHz频带内,插入损耗为0.3—1.4dB,隔离度为19—27dB,反射损耗大于11dB,开...
[期刊论文] 作者：过常宁,陈继义,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
1992年国际微波会议(IMS)和微波毫米波单片集成电路(MMWMC)会议,于1992年6月1日—5日在美国新墨西哥州首府阿尔布奎克市召开。IMS会议发表论文362篇(包括16篇特邀报告),MMWMC...
[期刊论文] 作者：钟慧卿,陈继义,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
介绍ＧａＡｓ单片集成衰减器的研究与制作，所研制的衰减器在ＤＣ－１０ＧＨｚ的频率范围内，插入损耗小于１．５ｄＢ衰减量大于１５ｄＢ驻波小于２．０：１，其中在ＤＣ－６ＧＨｚ的频率范围内衰减量大于２５ｄＢ，驻波小于１．５：１，衰减波纹小于０．５ｄＢ。......
[期刊论文] 作者：陈继义,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
...
[期刊论文] 作者：陈新宇,陈继义,等,
来源：半导体学报 年份：2002
提出一种三栅MESFET开关的模型－－附加栅控开关模型，模型是根据三栅MESFET开关器件的结构，考虑了栅极对微波信号的影响，适用于MMIC开关电路的设计，具有很好的宽带微波特性，器件测试值......
[期刊论文] 作者：陈继义,莫火石,陈克金,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文介绍了全气密陶瓷封装GaAs MMIC开关的设计方法和制造工艺.研制成的GaAsMMIC单刀单掷开关在DC-12GHz频带内,插入损耗为0.3—1.4dB,隔离度为19—27dB,反射损耗大于11dB,开...
[期刊论文] 作者：潘月斗, 徐杰, 陈继义, 陈虎,,
来源：控制理论与应用 年份：2014
矩阵变换器无中间直流环节,易受电网扰动和负载扰动的影响.针对这一问题,本文设计了矩阵变换器输入侧无源性控制器以改善控制系统特性.首先,在直–交坐标系下建立输入侧的端...
[期刊论文] 作者：陈新宇,郝西萍,陈继义,
来源：半导体学报 年份：2004
论述了多栅开关的结构和特点，针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析，确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时，开关性能最优，并在实验中得到验证。......
[期刊论文] 作者：潘月斗, 郭凯, 陈继义, 徐杰,,
来源：电力自动化设备 年份：2015
针对矩阵变换器输出电流易受电网电压、负载不对称影响的问题,设计了一种基于状态反馈线性化的矩阵变换器非线性控制器,实现对输出电流的实时准确的跟踪。根据矩阵变换器的拓...
[期刊论文] 作者：潘月斗, 陈继义, 徐杰, 郭凯,,
来源：高电压技术 年份：2014
在电压不平衡和负载不平衡等非正常工况下,矩阵变换器(MC)的输入电流波形不稳定,总谐波畸变率较大,严重影响负载的安全运行。为此,设计了一种全新的基于状态反馈线性化的矩阵...
[期刊论文] 作者：李毅,陈克金,陈继义,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.72mm.在1～18GHz范围内,插入损耗为2.0～2.7dB,各...
[期刊论文] 作者：潘月斗,郭凯,陈继义,徐杰,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2015
针对矩阵变换器输入侧电流易受到电网电压波动、负载变化的影响这一问题，提出了一种新的反步法控制策略，并应用于矩阵变换器上．通过PARK变换将矩阵变换器转化为面坐标系下的数学......
[期刊论文] 作者：李毅,陈克金,陈继义,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
目前用于微波控制电路的半导体器件主要是PIN管,然而,随着微波器件和微波技术的改进,微波部件不仅应有较宽的频率特性,同时还需具有体积小、重量轻、成本低的特点。近几年来...
[期刊论文] 作者：沈亚,陈继义,陈堂胜,陈效建,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件，利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成......
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