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[期刊论文] 作者：,
来源：山西师范大学学报(自然科学版) 年份：2016
2016年5月5日上午,山西师范大学莳英讲堂系列报告在新实验楼四层报告厅举行,中国科学院半导体研究所副所长陈弘达研究员和宋昌斌高级工程师应邀来山西师范大学进行学术交流....
[期刊论文] 作者：胡越菲,,
来源：音乐爱好者 年份：2018
如今，在音乐厅、教堂甚至户外听音乐会都不足为奇了。不过，你是否在一个很有设计感的Loft里听过音乐会呢？“音乐是流动的建筑，建筑是凝固的音乐”，当美的音乐和美的建筑结合，会是一......
[期刊论文] 作者：陈弘达,,
来源：新型工业化 年份：2015
1前言进入21世纪,整个世界正飞速地经历着前所未有的关键性历史转折。在度过了农业革命、工业革命之后,人类也迎来信息革命和知识经济时代。2049年是新中国100年华诞,可...
[期刊论文] 作者：陈弘达,,
来源：中国注册会计师 年份：2010
一、财务审慎调查的定义与特点财务审厦凋查又称尽职调查，是委托方委托独立的中介机构或者由其自身的专业部门，对某一拟进行并购或其它交易事项的对象的财务、经营活动所进行的......
[期刊论文] 作者：陈弘达,,
来源：中国集成电路 年份：2002
微光电子集成系统芯片是将高密度的光子集成器件与大规模集成电路进行集成,构成具有实用价值的光电子集成系统,充分发挥出微电子技术的逻辑处理及存储能力和光子集成技术的高...
[会议论文] 作者：陈弘达,,
来源： 年份：2015
第三代半导体Ga N和Si C器件在光照明、光显示、光存储以及医疗和军事有着广阔的应用,已经预示着光电信息乃至光子信息时代的来临。Ga N基发光二极管(LED)具有能效高、寿命长...
[会议论文] 作者：陈弘达;,
来源：中国电子学会第四届青年学术年会 年份：1998
微光电子集成技术充分利用了电子器件的逻辑控制多功能性、相当成熟的大规模集成技术和光子集成器件的高密度并行操作、高速度光输入/光输出能力，将光子功能与电子功能结合起......
[期刊论文] 作者：赵艾筠,,
来源：科学中国人 年份：2006
2005年8月20日，以中科院半导体所陈良惠院士为主任、865计划光电子专家组专家陈弘达教授和865计划超大规模集成电路重大专项专家组专家刘伟平高工为副主任的专宰组在南京对东...
[期刊论文] 作者：周革,陈弘达,
来源：高技术通讯 年份：1997
提出了一种波长路由并行光互连技术，其路由直接在源端用目标地址选择波长来建立，各波长有独立传输路径并采用光通道复用，路由变换节点为全光结构，光信号在变换节点处无转发延迟。......
[期刊论文] 作者：陈弘达,陈志标,
来源：光电子．激光 年份：2000
我们分析了 Ga As/Al Ga As半导体多量子阱 (MQW)光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性 ,优化设计了多量子阱结构 ,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件 ,并对器件...
[期刊论文] 作者：陈弘达,曾庆明,
来源：光电子．激光 年份：2000
我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子...
[期刊论文] 作者：邓晖,陈弘达,等,
来源：半导体学报 年份：2001
讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/GaAs多...
[期刊论文] 作者：郭维廉,陈弘达,
来源：半导体光电 年份：2000
文章对电阻为负载时，硅光电负阻器件（ＳＰＮＲＤ）的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的７个基本参数，并分析了负载电阻（ＲＬ）和电源电压（Ｖ０）对......
[期刊论文] 作者：陈志标,陈弘达,
来源：光子学报 年份：1997
对于从实验中观察到的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱非对称法布里－珀罗腔调制器中电致折射率变化引起的模式蓝移现象，从理论上予以讨论，利用等效光程方法分析了电致折射引起的模式的移动特性，实验和理......
[期刊论文] 作者：陈弘达,吴荣汉,
来源：天津大学学报 年份：1998
研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的电场光调制特性，测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明，在Ｉ－Ｖ特性中存在光电流负微分电阻区，由这种多量子阱材料制备的自电光效应器件（ＳＥＥＤ）观察到明......
[期刊论文] 作者：陈弘达,陈志标,
来源：半导体学报：英文版 年份：2000
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[期刊论文] 作者：梁琨,陈弘达,等,
来源：半导体学报 年份：2001
以研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型（简称RCE）光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR...
[期刊论文] 作者：梁琨,陈弘达,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用相同生长结构的MOCVD外延片，研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵，发射及接收波长相同，由谐振腔模式决定，采用双氧化电流限制结构，优化串联电阻，提高电光转......
[期刊论文] 作者：郑元芬,陈弘达,
来源：电子学报 年份：2000
在本文中，一方面对电路参数与我电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究，另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究，我电负......
[期刊论文] 作者：陈弘达,吴荣汉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱光探测器，光调制器与ＧａＡｓ场效应晶体管混合集成，构成ＦＥＴ－ＳＥＥＤ灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件，光源为量子阱半导体激光器。测出的光输出Ｐｏｕｔ／光输出Ｐｉｎ特性表明，光输......
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