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[期刊论文] 作者：陈城钊,,
来源：光谱实验室 年份：2012
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在硅衬底上以不同的射频功率生长微晶硅(μc-Si:H)薄膜,利用傅里叶变换红外透射光谱技术对薄膜进行测试。通过对红外透射光...
[期刊论文] 作者：陈城钊,,
来源：光谱实验室 年份：2012
采用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）,在玻璃和硅衬底上以230—310Pa之间的沉积气压生长微晶硅（μc-Si：H）薄膜。利用拉曼光谱和红外光谱分析样品的微结构。结果发现样品......
[期刊论文] 作者：陈城钊,,
来源：现代计算机(专业版) 年份：2011
对《电磁学》课程学习网站的内容、结构和功能进行分析和设计利用DreamweaverMX作为开发工具．Access2007作为后台数据库，采用ASP来实现动态数据库的交换及网页的生成，构建一个内...
[期刊论文] 作者：陈城钊,
来源：韩山师范学院学报 年份：2004
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结果表明,暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增...
[期刊论文] 作者：陈城钊,
来源：韩山师范学院学报 年份：2005
提出了一种利用MATLAB和C#软件模拟演示空间滤波实验的新方法.用一维黑白光栅作为输入物,设计了能脱离MATLAB运行且界面友好的程序,模拟演示了高通、低通及衬比度反转等实验...
[期刊论文] 作者：陈城钊,
来源：韩山师范学院学报 年份：2003
介绍了利用计算机处理电子衍射实验数据的过程,给出了编写程序的流程图....
[期刊论文] 作者：陈城钊,
来源：中山大学学报论丛 年份：2005
综述课程进行双语教学的背景和条件,介绍一种切实可行的使用英文教材和双语多媒体进行课堂教学的模式....
[期刊论文] 作者：陈城钊,,
来源：韩山师范学院学报 年份：2012
基于散射矩阵法对SOI衬底的谐振腔结构进行了理论设计．采用超高真空化学气相沉积系统，在SOI基的Ge虚衬底上制备出高质量的Ge和Ge／SiGe多量子阱材料．室温下样品的光致发光谱表明SO......
[学位论文] 作者：陈城钊,
来源：厦门大学 年份：2012
硅基锗材料因其优异的光电性能，广泛应用于硅基光电集成和微电子等领域。硅基锗材料的生长及其相关器件的研制引起人们浓厚的兴趣。由于锗与硅的晶格失配度较大，在硅衬底上生长......
[期刊论文] 作者：陈城钊,
来源：教育教学论坛 年份：2022
随着国家教育改革的深入，在立德树人和师范类专业认证背景下，师范生师德培养被提到了更重要地位，也提出了更高的要求。对于物理师范生，传统的师德要求在与时俱进的同时，还应该深入探讨具有物理学科特色，探索更加符合物理师范生师德培养的方法和途径，以促进物理师范生师......
[期刊论文] 作者：陈城钊,高晓爱,
来源：高教学刊 年份：2021
以韩山师范学院2016级和2017级物理师范生作为研究的对象,采用电子问卷调查的方法,从应试态度、应试方法、考试内容三个方面来探究师范生参加国考存在的问题,并对问题作具体...
[期刊论文] 作者：陈城钊,林璇英,,
来源：真空 年份：2012
采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电...
[期刊论文] 作者：陈城钊 高晓爱,
来源：高教学刊 年份：2021
摘 要：以韩山师范学院2016级和2017级物理师范生作为研究的对象，采用电子问卷调查的方法，从应试态度、应試方法、考试内容三个方面来探究师范生参加国考存在的问题，并对问题作具体的分析从而提出具有强针对性的建议。 关键词：教师资格证考试;物理师范生;现状;对策......
[期刊论文] 作者：陈城钊,方健文,林璇英,
来源：浙江师范大学学报(自然科学版) 年份：2002
利用固相晶化法获得多晶硅薄膜 (退火温度 70 0～ 80 0℃ ) ,采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析 .研究结果表明 :晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄...
[期刊论文] 作者：陈城钊, 李云, 邱胜桦, 刘翠青,,
来源：信息记录材料 年份：2019
金属与Si基n-Ge形成的欧姆接触的比接触电阻高,是制约Si基n-Ge器件性能的关键因素之一,因此选用恰当的金属作为其欧姆接触的金属电极获得较低的比接触电阻极为重要。本文选取...
[期刊论文] 作者：陈城钊,李云,邱胜桦,刘翠青,
来源：材料研究与应用 年份：2020
应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用X射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力...
[会议论文] 作者：王小怀,陈城钊,冯胜奇,李云,
来源：第十九届全国凝聚态理论与统计物理学术会议 年份：2016
Ge是传统的半导体电子材料，在电子器件领域被广泛使用.然而，其间接带隙的能带结构限制了它在光电一体化领域的应用.本项研究利用密度泛函理论计算探寻了掺杂将其转变成直接带隙能带结构的可能性.理论计算发现12.5％(摩尔比)的Sn掺杂能导致Ge的能带结构转变为直接带......
[期刊论文] 作者：陈城钊,邱胜桦,陈洪财,林璇英,,
来源：佳木斯大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si：H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱（FT-IR）等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜...
[会议论文] 作者：陈城钊,林璇英,余云鹏,余楚迎,
来源：中国第七届光伏会议 年份：2002
利用氢等离子体处理晶化a-Si:H薄膜,对晶化后的样品进行X射线衍谱(XRD)、傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)和Raman散射谱的测试,讨论和比较了薄膜的Raman谱和FT-IR谱中Si-H键合模式随射频功率、退火温度和退火时间的变化情况.......
[期刊论文] 作者：邱胜桦, 陈城钊, 曾繁华, 李平, 刘翠青, 方海,,
来源：韩山师范学院学报 年份：2008
分析了《大学物理学》精品课程网站设计背景及意义,给出了网站结构的设计与建设过程....
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