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[期刊论文] 作者：陈世鸯,陈克金,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文叙述了18GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制作。讨论了影响器件性能和成品率的材料、工艺因素。在18GHz下器件的最小噪声系数为1.7dB,相关增益为7.0dB。This article des...
[期刊论文] 作者：陈克金,吴庆芳,莫火石,陈继义,陈世鸯,周清,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1...
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