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[期刊论文] 作者：阎志辉,
来源：中华医学杂志 年份：1964
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[期刊论文] 作者：阎志辉,林宝吉,
来源：半导体光电 年份：1988
本文介绍了低压硅外延的基本原理、工艺过程和系统设备。在实验的基础上并对外延层缺陷进行了探讨,采用SF_6汽相抛光和全硬接不锈钢管道系统,使缺陷有明显的改善,达到10~3数...
[期刊论文] 作者：朱华海,黄燕丹,阎志辉,,
来源：半导体光电 年份：1991
介绍一种用于远程、大量容、长波长光纤通信系统的较理想的光电探测器——InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD 的优化设计、制造及其特性。...
[期刊论文] 作者：黄燕丹,蒋兴亚,阎志辉,
来源：半导体光电 年份：1988
本文报导了一种采用平面工艺制作的背照式φ500μm InGaAs/InP探头。该探头的光谱响应范围为1.0～1.65μm,响应度在1.3μm处为0.65～0.8μA/μW,暗电流在-2mV下为10~(-11)～10~(-12...
[期刊论文] 作者：谢春梅,潘青,刘铁权,黄燕丹,阎志辉,江东琼,
来源：半导体光电 年份：1998
设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应度为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理、设计和制作工艺。......
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