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[期刊论文] 作者：张昌利,陈治明,闵源基,金相哲,朴钟文,金南均,金垠东,
来源：半导体学报 年份：2004
用二维MEDICI商用器件模拟软件对双MOS门极控制的发射极开关晶闸管EST(Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区FBSOA(Forward Biased Safe-Operation-Area)及其关断...
[期刊论文] 作者：张昌利,陈治明,闵源基,金相哲,朴钟文,金南均,金垠东,
来源：半导体学报 年份：2000
用二维 MEDICI商用器件模拟软件对双 MOS门极控制的发射极开关晶闸管 EST( Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区 FBSOA( Forward Biased Safe- Operation-Area)及...
[会议论文] 作者：张昌利,金银东,金相哲,宋根浩,金南均,王正鸣,陆剑秋,张建平,李建华,朱佳政,杨丙凡,胡选文,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 年份：2002
采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通态电压V和关断时间t的折衷关系进行了研究,...
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