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[期刊论文] 作者：郑英奎,,
来源：创作 年份：2013
大地脱掉白花花的棉袄,换上绿油油的春装。春天,已经来到你我的身旁。夜晚,一阵阵春雷唤来了倾盆大雨。豆大的雨滴敲打在大地上,发出“啪啪”的声音,小鸟被吓得乱叫,可小草却...
[期刊论文] 作者：郑英奎,和致经,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有Ｔ型栅的ＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）器件，并对０．１μｍ栅长ＨＦＥＴ器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新......
[期刊论文] 作者：郑英奎,刘明,等,
来源：半导体学报 年份：2001
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件，并对0．1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究，形成了一整......
[会议论文] 作者：郑英奎,汪宁,刘新宇,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文对GaAs器件(主要为HFET器件)利用PECVD技术钝化前后的器件特性进行了对比分析,得出对于GaAs器件的钝化膜,利用PECVD技术制作的SiNx膜的钝化效果优于SiO、SiON膜,低应力钝...
[期刊论文] 作者：郑英奎,和致经,吴德馨,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField－EffectTransistor)器件，并对0.1μm栅长HFET器件的整...
[期刊论文] 作者：戈勤,刘新宇,郑英奎,叶川,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2004
A flat gain two-stage MMIC power amplifier with a 2.8 GHz bandwidth is successfully developed for X band frequency application based on a fully integrated micro...
[期刊论文] 作者：郑英奎,刘明,和致经,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2001
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研...
[期刊论文] 作者：王伟连,蒲世华,郑英奎,曹丹鸣,,
来源：西华师范大学学报(自然科学版) 年份：2010
作者对毒隐翅虫亚科，膝角毒隐翅虫属的分类研究中，发现膝角毒隐翅虫属Ochthephilum与相关属隐毒隐翅虫属Cryptobium的相互关系不太明确．为澄清它们之间的关系，我们查阅了大量国内......
[期刊论文] 作者：霍荡荡,郑英奎,陈诗哲,魏珂,李培咸,,
来源：电子元件与材料 年份：2017
研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比（HF:NH4F）为1:7的BOE溶液对Al Ga N/Ga N异质结材料表面进行处理后,其肖特基接触特性...
[会议论文] 作者：汪宁;陈震;郑英奎;刘新宇;和致经;,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
研制比较了AlGaAs/InGaAs单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT).由于采用了双平面掺杂和双异质结结构,DH-PHEMT能将载流子更好的限制在沟道中,得到...
[期刊论文] 作者：王鑫华,赵妙,刘新宇,郑英奎,魏珂,,
来源：半导体学报 年份：2010
We carry out a thermal storage research on GaN HEMT at 350℃for 48 h,and a recess phenomenon is observed in the low voltage section of Schottky forward characte...
[会议论文] 作者：郑英奎,陈震,汪宁,刘新宇,和致经,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
设计制作了双栅槽结构AlGaAs/InGaAs/AlGaAs功率PHEMT器件.对于栅长1μm的器件,最大输出电流I为480mA/mm,跨导Gm为275mS/mm,阈值电压V=-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了28V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关......
[期刊论文] 作者：陈震,郑英奎,刘新宇,和致经,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2004
研制了 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As单平面掺杂 PHEMT器件 (SH - PHEMT)和双平面掺杂 PHEMT器件(DH- PHEMT) ,并对其特性进行了比较 .由于采用了双异质结、双平...
[期刊论文] 作者：陈震,郑英奎,刘新宇,和致经,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2004
研制了A10.24Ga0.76As／In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT)，并对其特性进行了比较．由于采用了双异质结、双平面掺杂的设计，DH-PHEMT能...
[期刊论文] 作者：刘果果,魏珂,郑英奎,刘新宇,和致经,,
来源：电子器件 年份：2008
比较了空气桥跨细栅和空气桥跨栅总线两种源连接结构的1 mm AlGaN/GaN HEMTs器件的特性,对两种结构的管芯进行了等效电路参数提取。测试了两种布局方式下的不同源场板结构器...
[会议论文] 作者：刘果果;郑英奎;刘新宇;魏珂;和致经;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构....
[期刊论文] 作者：余乐,郑英奎,张昇,庞磊,魏珂,马晓华,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
A new 22-element small signal equivalent circuit model for the AlGaN/G N high electron mobility transistor(HEMT) is presented. Compared with the traditional equ...
[期刊论文] 作者：林体元,刘果果,袁婷婷,郑英奎,刘新宇,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
This paper investigates load-pull measurement of AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) at different numbers of gate fingers.Scalable small-signal...
[期刊论文] 作者：郑英奎,郑发科,王伟连,侯勇,郑欢,徐莉娟,
来源：西华师范大学学报：自然科学版 年份：2009
采用室内饲养观察的实验方法对大眼隐翅虫Stenus（s．str．）sp．的交配行为进行观察研究。结果发现：大眼隐翅虫Stenus（s．str．）sp．完成一次交配行为经过相遇、抱对、锁结、离开等几个过程．本文......
[期刊论文] 作者：肖洋, 张一川, 张昇, 郑英奎, 雷天民, 魏珂,,
来源：半导体技术 年份：2004
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