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[期刊论文] 作者：郑有炓,,
来源：中国名城 年份：2009
本刊就科技进步、城市定位、发展平台、城市软实力与文化古城发展关系等问题采访了郑有炓院士。...
[期刊论文] 作者：马琢,黄晓艳,,
来源：高科技与产业化 年份：2017
郑有炓院士是我国半导体材料与器件物理领域的知名专家,长期从事半导体异质结构材料与器件物理研究,近年主要致力于宽禁带半导体光电子材料与器件研究,并取得了丰硕的科研成...
[期刊论文] 作者：,
来源：泰州科技 年份：2011
5月23日上午,泰兴市举行＂2011年院士泰兴行＂报告会,由中科院院士郑有炓和赵淳生主讲。市委四套班子负责人出席并听取了报告。郑有炓是南京大学物理系教授,主要从事新型半导体异...
[期刊论文] 作者：牧益,岸钟,,
来源：功能材料信息 年份：2004
《功能材料》学术期刊编委郑有炓教授、赵连城教授分别当选为中国科学院院士、中国工程院院...
[期刊论文] 作者：杨小慧,,
来源：光电子技术 年份：2004
被采访人:邓青云(ChingW.Tang):OLED发明人、美国工程院院士郑有炓:中国科学院院士曹镛:中国科学院院士梁新清:中国光学光电子行业协会液晶分会秘书长每一个从事显示领域...
[期刊论文] 作者：,
来源：功能材料信息 年份：2011
郑有炓，男，1935年9月出生，福建大田人，我国半导体材料领域的著名科学家，1957年毕业于南京大学物理系，毕业至今一直在南京大学任教。曾参加中、美物理学会“原子、...
[会议论文] 作者：郑有炓,,
来源： 年份：2013
1993年第一只高亮度GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起Ⅲ族氮化物半导体研发热潮。Ⅲ族氮化物半导体是继第一代半导体材料Ge、Si,第二代半导体材料GaAs、InP之后发展起来...
[期刊论文] 作者：郑有炓,
来源：物理学进展 年份：1993
本文发展了一种用于生长Si1-xGex/Si应变层超晶格的“快速辐射加热超低压化学气相淀积”方法,以 SiH4,GeH4作为反应源,成功地...
[会议论文] 作者：郑有炓,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
1993年第一只高亮度GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起III族氮化物半导体研发热潮。经历20年的发展,III族氮化物半导体以其独特的光电性质,突破传统半导技术的局限,已经发...
[会议论文] 作者：郑有炓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
上个世纪后期,以GaN,SiC为代表的宽带隙半导体材料研究的突破,高性能器件的问世,新技术新产业的形成,展现出宽带隙半导体材料的重要应用价值,有望突破第一代半导体材料Ge、Si...
[期刊论文] 作者：郑有炓,
来源：科技导报 年份：2021
半导体材料是信息技术的核心基础材料,一代材料、一代技术、一代产业,半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化,推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展。同样地,信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展。......
[期刊论文] 作者：,
来源：电子世界 年份：2018
中国工程院柳百成院士，中国科学院郑有炓院士、...
[期刊论文] 作者：,
来源：微波学报 年份：2010
微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开...
[会议论文] 作者：郑有炓, 张荣,,
来源： 年份：2004
光电子学是光学与电子学相结合的交叉分支学科,它将电学使用的电磁波频率提高到光频,由此产生了系列新效应、新功能,发展了基于光电功能的新器件、新技术,对信息科学的发...
[期刊论文] 作者：张荣,郑有炓,
来源：电子学报 年份：1988
本文建立了高速(100kHz)计算机数据采集系统,研究了二分式率窗、正弦窗等几种新的深能级瞬态讯号处理方法和谱线的后处理方法,编制了全部机器语言软件在计算机数据采集系统上...
[期刊论文] 作者：施洪涛,郑有炓,
来源：物理 年份：1993
近两年来，多孔硅的发光特性已经成为国际半导体界的研究热点．介绍了多孔硅器件电致发光方面的研究进展，给出了多孔硅器件的基本结构以及相应的光谱响应，阐述了多孔硅固态器件的电......
[期刊论文] 作者：郑有炓,吴凤美,
来源：半导体学报 年份：1982
本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO_2层中正电荷及SiO_2-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO_2体内形成电子陷阱和中性陷阱....
[期刊论文] 作者：郑有炓,吴凤美,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1982
本文用雪崩热电子注入技术与MOS C-V技术,研究了软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱的性质.给出陷阱俘获截面σ为10~(-15)～10~(-16)cm~2,有效陷阱密度为10~(11)～10~(12)cm~(-2...
[期刊论文] 作者：孔月婵,郑有炓,,
来源：物理学进展 年份：2006
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发，重点讨论了AlGaN／GaN异质结构中二维电子气的性质，总结分析了......
[期刊论文] 作者：郑有炓,江若琏,
来源：半导体技术 年份：1982
本文用热激电流法测量了MOS结构在77K～600K温度范围的热激电流谱。热激流谱从低温到高温给出了SiO_2-Si界面的界面态、Si表面体深能级、SiO_2中的可动离子——H~+、Na~+、K~+...
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