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[学位论文] 作者：贾仁需,,
来源：西安电子科技大学 年份：2009
SiC器件和其它半导体器件一样,材料的质量对于SiC器件的制备和性能具有非常重要的意义。高质量的SiC单晶是制备高性能SiC器件的基础,有利于SiC器件研制和进一步推广应用。目...
[期刊论文] 作者：刘雷, 贾仁需,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2019
由于制造工艺造成振膜参数偏差导致了微机电系统麦克风灵敏度的不确定性,为了减少计算时间,提高仿真效率,提出基于人工神经网络的拉丁超立方蒙特卡罗模拟,以分析多晶硅圆形固...
[期刊论文] 作者：刘雷, 贾仁需,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：贾仁需,张玉明,,
来源：Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science 年份：2012
In order to reduce deep level defects, the theory and process design of 4H-SiC homoepitaxial layer implanted by carbon ion are studied. With the Monte Carlo sim...
[期刊论文] 作者：王旭,贾仁需,张玉明,,
来源：中国科技论文 年份：2016
为了研究不同退火温度对Y2O3/Si界面电学特性的影响,对Y2O3/Si界面做快速热退火处理。用C-V和I-V方法对Al/Y2O3/Si/Al MOS电容进行电学特性测试。结果表明：界面态密度随着退火...
[会议论文] 作者：辛斌;张玉明;贾仁需;,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文采用化学气相沉淀(CVD)法在零偏4H-SiC衬底上外延了3C-SiC单晶薄膜,通过不同生长阶段的分析,得到了外延中缺陷的产生机理和来源.通过X射线衍射(XRD)跟拉曼光谱(Raman)分...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,
来源：物理学报 年份：2004
实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张玉明,张义门,郭辉,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2010
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,郭辉,
来源：半导体学报 年份：2007
构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,王瑾,,
来源：半导体学报 年份：2008
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,王悦湖,,
来源：物理学报 年份：2008
利用水平式低压热壁CVD(LP-HW-CVD)生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiCSi(0001)晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和1...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,
来源：物理学报 年份：2004
为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,,
来源：物理学报 年份：2008
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模...
[期刊论文] 作者：栾苏珍, 汪钰成, 刘银涛, 贾仁需,
来源：null 年份：2018
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[会议论文] 作者：胡继超,张玉明,贾仁需,王悦湖,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
利用水平热壁CVD方法,在SiH4-C3H8-H2系统中通过降低反应压强在n型4H-SiC偏4°衬底上同质外延生长了高质量的外延层.利用红外傅里叶变换光谱(FTIR)、Nomarski光学显微镜和高分辨X射线衍射(HRXRD)摇摆曲线等测试方法,对外延层的厚度、表面形貌及结晶质量进行了分......
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,郭辉,栾苏珍,,
来源：物理学报 年份：2008
利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-S...
[期刊论文] 作者：闫宏丽,贾仁需,汤晓燕,宋庆文,张玉明,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The effect of the different re-oxidation annealing(ROA) processes on the SiO2/SiC interface characteristics has been investigated. With different annealing proc...
[期刊论文] 作者：王悦湖,张义门,张玉明,宋庆文,贾仁需,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
This paper investigates the current-voltage (I-V) characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 77 K-500 K,which sh...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,王悦湖,张林,,
来源：半导体学报 年份：2009
Unintentionally doped 4H-SiC homoepitaxial layers grown by hot-wall chemical vapor deposition(HWCVD) have been studied using photoluminescence(PL) technique in...
[会议论文] 作者：韩征,张玉明,张义门,王悦湖,贾仁需,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1.2×1015cm-3。对其无意掺杂的晶片进行初步分析，其......
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