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[会议论文] 作者：谈惠祖;,
来源：上海市老科学技术工作者协会第十三届学术年会 年份：2015
砷化镓是Ⅲ-V族化合物半导体中最重要、用途最广的半导体材料.它是由两种元素砷、镓组成的化合物,和单元素的硅、锗半导体材料有很多不同点,它的最大特征适合制造高频、高速...
[会议论文] 作者：谈惠祖,
来源：上海市老科学技术工作者协会第十五届学术年会 年份：2017
随着砷化镓基底材料和外延技术的进步,LED应用领域不断地拓展,现在LED不仅在可见光领域被广泛应用,而且在近红外领域应用也开始被人们日益重视,尤其是近年来快速发展的物联网...
[会议论文] 作者：谈惠祖;杜立新;,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
垂直梯度凝固法（VGF）生长高质量砷化镓晶体是近几年出现的一种新方法，与液封直拉法（LEC）和水平布里奇曼法（HB）比较，具有设备造价低，容易实现程序控制，单晶棒无须滚园，利用率高，生长的单晶......
[期刊论文] 作者：赵福川,谈惠祖,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
研究了非掺ＧａＡｓ半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法（ＶＧＦ）生长技术，解决了Ｓｉ沾污和Ｃ浓度的控制问题，得到了直径２英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明：该单晶的位错密度较ＬＥＣ单晶下降近一个数量级，电学......
[期刊论文] 作者：谈惠祖,谭丽芳,
来源：材料保护 年份：1988
实验证明,欲获得优质铝及铝合金的氧化着色膜,必须严格控制阳极氧化时的温度、时间和电流密度,并分析了杂质对膜层着色的影响.Experiments show that, to obtain high qual...
[期刊论文] 作者：谈惠祖,杜立新,赵福川,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基...
[期刊论文] 作者：周舟, 周健, 孙晓玮, 谈惠祖,,
来源：光学学报 年份：2011
根据多光束干涉原理设计出用于薄膜太阳能电池的异型布拉格背反射器(IDBR)。该异型布拉格背反射结构由两对非晶硅(36.5 nm)/二氧化硅(81 nm)分布式布拉格反射器(DBR)结构与三...
[期刊论文] 作者：金敏,徐家跃,谈惠祖,何庆波,,
来源：上海应用技术学院学报(自然科学版) 年份：2014
采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂...
[期刊论文] 作者：赵福川,谈惠祖,杜立新,莫培根,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶...
[期刊论文] 作者：周紫卓,王伟,谈惠祖,孙晓玮,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
本文结合功能材料Al2O3和BCB（苯并环丁烯树脂）的特点，创新性地提出了Si／Al2O3／BCB多层薄膜复合结构的衬底，利用Al2O3高介电常数的优点和BCB薄膜工艺制备厚度的灵活性实现了低传输损......
[期刊论文] 作者：谭丽芳, 廖丽英, 谈惠祖, 陆启东,,
来源：半导体技术 年份：1982
一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入工艺,衬底材料与器件的关系更为密切。实验...
[期刊论文] 作者：王可,吴铸,夏保佳,倪君,谈惠祖,
来源：功能材料与器件学报 年份：2001
用 EDTA二钠对 AB5型贮氢合金进行了表面处理 . 结果表明 , 该处理对合金的最大放电容量和大电流放电能力没有明显的影响 , 但是处理后贮氢合金电极的 1C放电电位较未处理合...
[期刊论文] 作者：赵福川,夏冠群,杜立新,谈惠祖,莫培根,
来源：半导体学报 年份：1999
本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂......
[期刊论文] 作者：周健,李红飞,刘毓成,谈惠祖,刘正新,
来源：光学学报 年份：2013
根据多光束干涉原理，基于迭代算法，设计出用于异质结太阳能电池的异型分布布拉格反射（IDBR）结构。通过优化设计S1（500 nm 800 nm）、S2（500 nm 900 nm）、S3（500 nm 1000 nm）、S4（500 nm 800 nm 1000 nm）4种不同中心波长组合的异型布拉格背反射结构，发现S3具有最佳宽频带高反射......
[会议论文] 作者：王伟,孙浩,田彤,艾立鹍,谈惠祖,齐鸣,孙晓玮,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电...
[会议论文] 作者：王伟[1]孙浩[2]田彤[2]艾立鹍[2]谈惠祖[2]齐鸣[2]孙晓玮[2],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电...
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