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[期刊论文] 作者：阎兰贵,袁凤坡,
来源：河北建筑工程学院学报 年份：2005
概述了高亮度发光二极管(LED)的优点,在建筑领域的应用、应用优势,以及在建筑应用领域的发展趋势....
[期刊论文] 作者：赵翠俭,孙素静,袁凤坡,,
来源：科技通报 年份：2014
采用传统生长模式和脉冲生长模式开展了蓝宝石衬底上AlN薄膜外延生长研究。通过XRD、透射谱、Raman等分析手段,研究了不同生长模式对AlN薄膜质量的影响,研究发现采用脉冲生长...
[会议论文] 作者：白欣娇,袁凤坡,李晓波,
来源：2019年全国智慧杆塔学术研讨会 年份：2019
智慧灯杆作为智慧城市建设的重要载体,在实现基本照明功能的基础上,对智慧城市提供多种便利平台,通过搭载不同功能模块,实现各种信息的采集和发布,为市民提供众多便民服务,智慧灯杆的研究开发有利于加快智慧城市的建设和发展.文中介绍了SiC技术在智慧灯杆中的应......
[期刊论文] 作者：武占春,顾卫东,王晓燕,袁凤坡,
来源：半导体光电 年份：2002
采用应变GaInAs/AlGaAs量子阱结构,研制出了激射波长为1.064μm的激光器线阵列.在200ns脉宽、100kHz和50A工作条件下,5mm线阵列的输出功率达到了35W,将三条线阵...
[期刊论文] 作者：袁凤坡,王波,潘鹏,王静辉,唐景庭,,
来源：半导体技术 年份：2016
采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温...
[期刊论文] 作者：刘英斌,林琳,陈宏泰,袁凤坡,李云,
来源：微纳电子技术 年份：2010
重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法，用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素，指出室温光荧光主要来源于带-...
[期刊论文] 作者：袁凤坡,尹甲运,刘波,梁栋,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2008
为了解决材料的界面平整度，改善材料的晶体质量，在Ⅲ-Ⅴ族氮化物（InGaN）材料的生长过程中，加入了Al掺杂剂。实验发现，InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec（非掺Al）下降到399arcsec（轻......
[会议论文] 作者：尹甲运,刘波,袁凤坡,梁栋,冯志宏,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧光测试分析。结果表明,随着插入层数的增加,GaN材料的E-high峰位逐......
[期刊论文] 作者：盛百城, 白欣娇, 唐兰香, 甘琨, 袁凤坡,,
来源：半导体技术 年份：2004
采用预铺Ga或NH3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底（PSS）表面,然后外延生长了GaN薄膜,研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响。结果显示,PSS经...
[期刊论文] 作者：梁栋,袁凤坡,张宝顺,尹甲运,刘波,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2007
采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN／AlN结构，并进行了应变分析。通过x射线双晶衍射叫．2臼扫描曲线和拟合曲线分析发现，AlN是由两个不同弛豫度的应变......
[期刊论文] 作者：袁凤坡,梁栋,尹甲运,许敏,刘波,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2007
通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺，获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层．同时通过优化AlGaN／GaN异质结材料中AlN插入层的厚度，获得了性能优良的AlGaN／GaN HEMT材料。...
[期刊论文] 作者：白欣娇,袁凤坡,李晓波,王文军,李路杰,
来源：微纳电子技术 年份：2018
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展,但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因.归纳了目前制备增强型器件的几种方法:p...
[期刊论文] 作者：刘波,袁凤坡,尹甲运,盛百城,房玉龙,冯志红,,
来源：半导体技术 年份：2012
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/...
[期刊论文] 作者：刘波,袁凤坡,尹甲运,刘英斌,冯震,冯志宏,
来源：微纳电子技术 年份：2008
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高...
[期刊论文] 作者：许敏,袁凤坡,陈国鹰,李冬梅,尹甲运,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2007
利用范德堡Hall方法和汞探针C—V方法，研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN／GaN HEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能，二维电子气（2DEG）面密度和方块电阻（ns×......
[会议论文] 作者：袁凤坡,梁栋,尹甲运,刘波,刘英斌,冯志宏,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
通过优化蓝宝石衬底上AlN、AlGaN材料的生长温度、Ⅴ/Ⅲ、生长压力等工艺条件,得到了高质量的AlN、AlGaN材料,AlN双晶衍射(002)和(102)ω扫描半宽分别为870弧秒和118弧秒,AlG...
[会议论文] 作者：吴阿慧;西安电子科技大学(西安市);石顺祥;花吉珍;袁凤坡;,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文研究了一种新型的光波导阵列电光快速扫描器,分析了它的工作原理,分析了光波导阵列结构对输出光空间分布特性的影响,研究了器件的工艺制作过程及湿法腐蚀工艺的控制精度...
[期刊论文] 作者：袁凤坡,刘波,尹甲运,王波,王静辉,唐景庭,,
来源：半导体技术 年份：2016
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了...
[期刊论文] 作者：白欣娇,袁凤坡,王文军,房玉龙,李晓波,李浩,
来源：半导体技术 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：袁凤坡, 白欣娇, 李帅, 崔素杭, 李晓波, 王静辉,,
来源：半导体技术 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
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