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[学位论文] 作者：蒋洞微,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2011
近三十年来,红外探测器在军事和民用等方面发展迅速。特别InAs/GaSbⅡ类超晶格显示出优越的性能,其能带结构可调（0～0.8ev）,响应波长范围广,量子效率高,俄歇复合率低以及较小的暗...
[学位论文] 作者：蒋洞微,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2016
红外探测器在军事和民用上都有着极其重要的应用，如：夜视、导弹制导、潜艇探潜、医疗诊断、污染监测、矿藏探测等。随着红外探测技术的不断发展，新一代红外探测器要求具备高探测......
[会议论文] 作者：国凤云,蒋洞微,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
综述了近年来对InAs/InGaSb超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。制作了一系列不同In组分的超晶格材料,InAs/InGaSb超晶格材料对应的工作波长范围在3～25μm涵盖3～5μm,8～14μm两个重要大气窗口。并制备成探测器,光谱响应为8.4μm与12.5μm......
[期刊论文] 作者：蒋洞微,徐应强,王国伟,牛智川,
来源：人工晶体学报 年份：2020
近年来InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在材料晶体结构生长、器件结构设计与成像应用方面取得了飞速发展。尤其在多色红外探测方面,二类超晶格材料以其具备的带隙可调、暗电流...
[期刊论文] 作者：韩玺,蒋洞微,王国伟,张宇,倪海桥,徐应强,,
来源：中国基础科学 年份：2017
锑(Sb)化物基光电子材料主要是指包含(InGaAlN)(AsSb)等元素的典型Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体,其光电物理性质独特?内涵丰富. 锑化物材料在高性能中波红外激光器和中长波红外探测...
[期刊论文] 作者：杨桂霞,庞元龙,王晓东,徐家云,蒋洞微,
来源：电子元件与材料 年份：2021
锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基...
[会议论文] 作者：李晓超,蒋洞微,张勇,于清江,王东博,赵连城,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：张璇,贾庆轩,孙矩,蒋洞微,王国伟,徐应强,牛智川,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
we report n Bn photodetectors based on In As0.91 Sb0.09 with a 100% cut-off wavelength of 4.75 μm at 300 K. The band of an n Bn detector is similar to that of...
[会议论文] 作者：向伟,王国伟,蒋洞微,徐应强,王娟,邢军亮,牛智川,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,其微带帯隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际...
[会议论文] 作者：向伟,王国伟,蒋洞微,王娟,邢军亮,徐应强,牛智川,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
InAs/GaSb超晶格具有独特的Ⅱ型能带结构,其微带带隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际...
[会议论文] 作者：蒋洞微,国凤云,徐应强,王国伟,向伟,于子阳,牛智川,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
本论文InAs/GaSb超晶格在GaSb(001)衬底上生长,设备采用Gen-II分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供.中波InAs/GaSb超晶格每个周期的InAs与GaSb的厚度...
[会议论文] 作者：郭春妍,孙姚耀,徐应强,牛智川,蒋洞微,王国伟,汪韬,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：孙姚耀, 韩玺, 吕粤希, 郭春妍, 郝宏玥, 蒋志, 蒋洞微,,
来源：航空兵器 年份：2018
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[期刊论文] 作者：蒋志, 孙姚耀, 郭春妍, 吕粤希, 郝宏玥, 蒋洞微, 王国伟,
来源：null 年份：2019
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[会议论文] 作者：郭春妍,孙姚耀,王国伟,徐应强,蒋洞微,汪韬,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
宽光谱成像技术在遥感、矿产探测、生物医学等方面具有广泛的应用而备受关注.在分子束外延(MBE）生长的GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格材料吸收区上实现不同形状、不同尺寸的光陷阱微结构,有效增加了探测器的光吸收.探测器探测到中波红外光的同时,实现对可见光波段的......
[会议论文] 作者：蒋洞微,国风云,于清江,向伟,郝宏玥,王国伟,徐应强,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：蒋洞微,向伟,国风云,郝宏玥,王国伟,于清江,徐应强,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
本文研究了InAs/GaSb超晶格中波、长波以及甚长波三色红外探测器.器件在GaSb (001)衬底上生长,设备采用Gen-Ⅱ分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供....
[期刊论文] 作者：崔素宁,蒋洞微,孙矩,贾庆轩,李农,张璇,李勇,常发冉,王国,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
The eight-band κ·p model is used to establish the energy band structure model of the type-II InAs/GaSb superlattice detectors with a cut-off wavelength of...
[期刊论文] 作者：孙姚耀,韩玺,吕粤希,郭春妍,郝宏玥,蒋志,蒋洞微,王国伟,,
来源：航空兵器 年份：2018
InAs／GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料．其有效带隙可以覆盖40-400 meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性，还拥有出色的光学特...
[期刊论文] 作者：常发冉,蒋志,王国伟,李勇,崔素宁,蒋洞微,徐应强,牛智川,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2021
锑化物的研究开始于20世纪50年代, 70年代随着超晶格概念及后来能带工程的出现,锑化物在红外探测领域的潜力逐渐显露.基于现实的需求,锑化物材料的生长外延及工艺处理技术取得了快速进步,这也得益于之前对Ⅲ-Ⅴ族材料的大量研究. Ⅱ类超晶格(T2SL)的发展主要源......
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