【摘 要】
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InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,其微带帯隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京100083
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InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,其微带帯隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的最理想材料.本文中的InAs/GaSb生长在GaSb(001)衬底上,外延采用VG80H系统,该系统配置的III族(Al,Ga,In)为双温区的SUMO源炉,Ｖ族源(As,Sb)为针型阀控制的裂解源炉.As和Sb的裂解区温度在800 0C以上，从而保证V族束流中90％以上部分为As2,Sb2分子。
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