搜索筛选:
搜索耗时0.5807秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 20 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：苗昂,,
来源： 年份：2008
本论文的工作是围绕任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划（973计划）项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”（项目编号:2003CB314900......
[期刊论文] 作者：苗昂,喻晓,
来源：南方农机 年份：2019
目前我国大多数的农业机械都是以纯机械式驱动为主,这种机械无法根据实际情况进行及时的变化和调整,会严重降低机械工作的性能。悬挂式农机具电液智能控制系统的设计,可以对...
[期刊论文] 作者：徐敬文,苗昂,王飞,
来源：中外交流 年份：2021
当前在双创的时代激流中,如何更好地缓解就业压力,以创业带动就业显得尤为重要.因此,高职院校学生有必要不断提升自身的创新能力和创业意识.然而创新创业教育对于专业课的针...
[期刊论文] 作者：王睿,苗昂,王松,黄永清,,
来源：光电子.激光 年份：2008
通过实验证明了光外差法测量光探测器频率响应特性的一种校准方法的有效性。首先根据光外差法的基本原理详细推导了光探测器频率响应的表达式。发现了激光器调谐过程中的输出...
[期刊论文] 作者：雒伟伟,黄永清,黄辉,苗昂,王琦,任晓敏,,
来源：光电子.激光 年份：2009
研究了一种在光探测器的结构设计中加入平面螺旋电感从而提高光探测器高速性能的新方法。对影响探测器频率响应的因素进行分析,结果表明,增加电感值可以减小结电容对高速性能...
[期刊论文] 作者：吴强,黄永清,黄辉,苗昂,李轶群,任晓敏,,
来源：半导体光电 年份：2008
对GP大信号模型及其参数提取方法进行了研究,并对发射极尺寸为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT进行了建模。模型的仿真结果表明,所建模型能较为精确地表征实际HBT器件的直流和高...
[期刊论文] 作者：崔海林,任晓敏,李轶群,苗昂,黄辉,黄永清,,
来源：光电子.激光 年份：2008
对用于光电集成电路（OEIC）的InP基异质结双极性晶体管（HBT）及PIN探测器进行了设计与研制，讨论了堆叠层结构和共享层结构2种常见的集成方式，通过实验比较，确定了共享层结构器件性能更......
[期刊论文] 作者：苗昂,黄永清,李轶群,吴强,黄辉,任晓敏,
来源：半导体学报 年份：2007
在采用光调制法测量光探测器芯片高频响应特性的过程中，测试系统往往忽视光调制器响应、高频探针衰减以及端口间失配等误差中的一项或几项．为了降低校准不完善对结果造成的误差......
[期刊论文] 作者：苗昂, 黄永清, 李轶群, 吴强, 王睿, 王松, 黄辉,,
来源：光电子.激光 年份：2008
提出了一种利用自适应遗传算法提取p-i-n光探测器小信号电路模型参数的方法。文章首先根据p-i-n光探测器的物理结构确定其等效电路模型,进而采用自适应遗传算法对测量的S参数...
[期刊论文] 作者：陈海波,黄辉,黄永清,徐玉峰,苗昂,李轶群,任晓敏,,
来源：光电子.激光 年份：2008
提出了一种基于微型谐振腔的新型环形光探测器(MRPD),MRPD采用谐振腔和吸收腔分离的结构。MRPD避免了直波导与环形腔完全耦合时限制因子极低的问题,具有更强的可行性。导出了...
[期刊论文] 作者：苗昂,李轶群,吴强,崔海林,黄永清,黄辉,任晓敏,,
来源：半导体学报 年份：2007
提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法.首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素.然后精确测量了光探测...
[期刊论文] 作者：苗昂,李轶群,吴强,崔海林,黄永清,黄辉,任晓敏,
来源：半导体学报 年份：2007
提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法,首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素，然后精确测量了光探测器......
[期刊论文] 作者：吴强,黄永清,黄辉,苗昂,李轶群,崔海林,任晓敏,,
来源：光电子.激光 年份：2008
根据异质结双极晶体管（HBT）的实际结构提出高频小信号电路模型，以此模型用于共射放大电路为出发点，从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因，分析了端接电阻的稳定方法，借助mat......
[期刊论文] 作者：陈海波,黄永清,黄辉,徐玉峰,苗昂,李轶群,任晓敏,,
来源：光电子.激光 年份：2007
通过三维光波导的模式耦合理论分析了半导体环形激光器（SRL）与直波导的耦合系数,用耦合系数的解析表达式结合SRL自再现条件分析了SRL各参数对阈值增益的影响。分析结果表明,耦...
[期刊论文] 作者：李轶群,崔海林,苗昂,吴强,黄辉,黄永清,任晓敏,,
来源：半导体光电 年份：2007
叙述了利用InP基长波长pin光探测器和异质结双极晶体管（HBT）单片集成实现光接收前端的设计和制备方法。pin光探测器和HBT采用共享层结构，这样的结构不仅性能优于堆叠层结构，而且......
[期刊论文] 作者：吕吉贺,黄辉,任晓敏,苗昂,李轶群,王睿,黄永清,
来源：半导体学报 年份：2004
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,...
[期刊论文] 作者：王文娟,王兴妍,黄辉,崔海林,苗昂,李轶群,任晓敏,黄永清,,
来源：光电子·激光 年份：2006
通过将GaAs基滤波器与InP基探测器键合在一起，实现了一种新型可调谐的长波长光电探测器。通过热调谐，在13V的偏置电压下，峰值波长从1540．1nm红移到1550．6nm，实现了10．5nm的调谐范围，......
[期刊论文] 作者：吕吉贺,黄辉,任晓敏,苗昂,李轶群,王睿,黄永清,王琦,,
来源：半导体学报 年份：2007
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器．通过外延实验，摸索出低温缓冲层的最佳生长条件，成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4％的高质量的InP基材料．基于此低温缓冲层，在GaAs......
[期刊论文] 作者：李轶群,黄辉,吕吉贺,苗昂,吴强,蔡世伟,黄永清,任晓敏,,
来源：光电子.激光 年份：2009
实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就...
[期刊论文] 作者：王琦,吕吉贺,焦德平,周静,黄辉,苗昂,蔡世伟,黄永清,任晓敏,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2007
Top-illuminated metamorphic In_(0.53)Ga_(0.47)As p-i-n photodetectors are grown on the ultrathin low- temperature InP buffered GaAs substrates.Photodetectors wi...
相关搜索：
