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[学位论文] 作者：苏本法,,
来源：武汉大学 年份：2005
GaSb材料是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是直接带隙半导体,OK下禁带宽度为0.822eV,300K下禁带宽度为0.725eV。其晶格常数为0.60959nm,此数值位于各种三元、四元的Ⅲ-Ⅴ族...
[期刊论文] 作者：苏本法,王柱,黄长虹,王少阶,
来源：原子核物理评论 年份：2005
测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱.对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度.给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影...
[会议论文] 作者：苏本法,王柱,黄长虹,王少阶,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
本文测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度.并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了...
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