【摘 要】
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本文测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度.并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072
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本文测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度.并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响.文章中用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和核心电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对核心电子的湮没贡献做源修正的方法.
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