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[期刊论文] 作者：刘艳红,胡礼中,
来源：大连理工大学学报 年份：1997
日益活跃的蓝色发光材料的研究进展刘艳红胡礼中（大连理工大学物理系１１６０２４）蓝色在全彩色化显示及提高存储密度方面有重要的应用价值。传统的蓝色发光材料有ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ等。...
[期刊论文] 作者：胡礼中,孙洪波,刘式墉,
来源：大连理工大学学报 年份：1997
１．５ｐｓ碰撞脉冲锁模量子阱激光器胡礼中（大连理工大学物理系１１６０２４）孙洪波刘式墉（吉林大学电子工程系长春１３００２３）超短光脉冲在物理、化学和生物学中的超快现象研究和信息工程中超快过程处理等方面有...
[期刊论文] 作者：张皓月,胡礼中,
来源：高速摄影与光子学 年份：1990
目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法生长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激光器。我们根据现有的实验条件,为了制作单片集成的光发射机,在沟道SI-GaAs衬底上采用...
[期刊论文] 作者：胡朝晖,胡礼中,
来源：半导体光电 年份：1994
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体材料及相应量子阱结构的特性，表明在５８０℃生长条......
Luminescence properties of ZnS:Cu, Eu semiconductor nanocrystals synthesized by a hydrothermal proce
[期刊论文] 作者：新梅,胡礼中,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
ZnS:Cu, Eu nanocrystals with an average diameter of ～ 80 nm are synthesized using a hydrothermal approach at 200 C. The photoluminescence (PL) properties of the...
[期刊论文] 作者：陈维友,胡礼中,
来源：光通信研究 年份：1991
本文报道一种适合用现有工艺条件进行研制的OEIC光发送机的驱动电路。该驱动电路不仅对信号具有一定的整形能力,而且更适于高速脉码调制。同时,当制作工艺条件变化时具有较高...
[期刊论文] 作者：祝进田,胡礼中,
来源：光子学报 年份：1994
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下......
[期刊论文] 作者：祝进田,胡礼中,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪......
[期刊论文] 作者：胡礼中,刘武墉,
来源：大连理工大学学报 年份：1998
报道一种隐埋条形半导体激光器伴生高阻层电阻率的估算方法，解决了该电阻率不能用常规手段直接测量的问题。在给定的实验条件下，算得电阻率约为４１２Ω·ｃｍ；这种方法也适于其他类似......
[期刊论文] 作者：胡礼中,刘式墉,
来源：大连理工大学学报 年份：1997
报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机。这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效 晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效 晶体管与激光器结构同时形......
[期刊论文] 作者：陈维友,胡礼中,
来源：半导体学报 年份：1990
本文采用一适于光电集成回路（OEIC）的计算机辅助分析程序,对含一个激光二极管（LD）,两个金属半导体场效应晶体管（MESFET）的混合和单片OEIC做了较详细的分析。主要考虑:LD的偏置情况I......
[期刊论文] 作者：王兆阳,胡礼中,,
来源：半导体技术 年份：2009
反射式高能电子衍射仪（RHEED）是一种表面分析工具，以往都是用来对晶体进行定性观察，以研究晶体的结晶状况，很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上，研究了......
[期刊论文] 作者：赵方海,胡礼中,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1989
本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光器的热阻,讨论了各种参数对热阻的影响。此外,还采用正向压降法测量了不同腔长激光器的热阻,并与理论曲线...
[期刊论文] 作者：白利伟,胡礼中,
来源：半导体技术 年份：2002
简要介绍了异质结的临界厚度,叙述了计算临界厚度的两种理论和其实验值....
[期刊论文] 作者：袁明权,胡礼中,
来源：光学学报 年份：2001
提出了一种计算近理想形状任意截面光波导模式特性的方法。首先运用微扰理论计算出光波导的电磁场分布 ,然后从麦克斯韦方程出发推导出一个计算光波导传播常数的公式并由此得...
[期刊论文] 作者：王兆阳,胡礼中,,
来源：半导体光电 年份：2004
在不同的环境氧压下用脉冲激光沉积方法在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜,以325 nm He-Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光谱以研究其发光特性,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微...
[期刊论文] 作者：王兆阳,胡礼中,
来源：中国激光 年份：2008
在不同激光重复频率下用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si (111)衬底上生长了ZnO薄膜, 以325 nm He-Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光谱以研究其发光特性, 用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的晶体结构和表面形貌, 结果表明, 在激光重复频率为5 Hz......
[期刊论文] 作者：赵杰,胡礼中,王维维,
来源：功能材料 年份：2009
采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si（111）为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下（0～50Pa）沉积的样品的室温PL谱测试表明，氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量，在50Pa氧气中沉积的Z......
[期刊论文] 作者：胡朝晖,胡礼中,李玉东,
来源：半导体光电 年份：1994
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体材料及相应量子阱结构的特性，表明在５８０℃生长条......
[期刊论文] 作者：郑东裕,胡礼中,方粮,
来源：半导体光电 年份：2005
在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧...
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