搜索筛选:
搜索耗时0.3552秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 17 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：胡冬枝,
来源：复旦大学 年份：2002
该文的研究内容分为以下两方面：1.研究了Si（001）面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si（001）6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为6...
[期刊论文] 作者：胡冬枝,杨建树,等,
来源：半导体学报 年份：2002
在超高真空系统中，用扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化，实验发现，当退火温度为630℃时，出现了许多新的量子点，与原来的分子......
[期刊论文] 作者：胡冬枝,赵登涛,等,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长，实验表明，在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃，在斜切衬底上成岛生长...
[会议论文] 作者：蒋最敏,周星飞,施斌,胡冬枝,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：胡冬枝,朱海军,蒋最敏,黄大鸣,张翔九,王迅,
来源：半导体学报 年份：1997
生长温度５００℃，在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点。７００℃退火２０分钟后观察到其光致发光。原子力显微镜（ＡＦＭ）和横截面试样透镜（ＸＴＥＭ）方法用于观察量子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察下不同温......
[期刊论文] 作者：周星飞,施斌,胡冬枝,樊永良,龚大卫,蒋最敏,
来源：半导体学报 年份：2002
在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之...
[期刊论文] 作者：胡冬枝,杨建树,蔡群,张翔九,胡际璜,蒋最敏,
来源：半导体学报 年份：2004
在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原...
[期刊论文] 作者：胡冬枝,杨建树,蔡群,张翔九,胡际璜,蒋最敏,
来源：半导体学报 年份：2002
在超高真空系统中 ,用扫描隧道显微镜 (STM)和原子力显微镜 (AFM)研究了自组织生长的 Ge量子点经不同温度退火后的变化 .实验发现 ,当退火温度为 6 30℃时 ,出现了许多新的量...
[期刊论文] 作者：张胜坤,蒋最敏,秦捷,林峰,胡冬枝,裴成文,陆方,
来源：半导体学报 年份：1999
本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析，验证了这一方法的可靠性In this paper, the G-V charact......
[会议论文] 作者：蒋伟荣,周星飞,施斌,胡冬枝,刘晓晗,蒋最敏,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
该文利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响。结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面...
[期刊论文] 作者：蒋伟荣,周星飞,施斌,胡冬枝,刘晓晗,蒋最敏,张翔九,
来源：半导体学报 年份：2000
利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了...
[期刊论文] 作者：胡冬枝,赵登涛,蒋伟荣,施斌,顾骁骁,张翔九,蒋最敏,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在...
[期刊论文] 作者：蒋最敏,朱海军,朱建红,毛明春,徐阿妹,胡冬枝,张翔九,王迅,
来源：电子显微学报 年份：1997
利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级......
[会议论文] 作者：胡冬枝,赵登涛,蒋伟荣,施斌,顾骁骁,张翔九,蒋最敏,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文研究了Si(001)6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长,同时对Si(001)斜切衬底片上固相外延Ge最子点的稳定性进行了研究....
[期刊论文] 作者：周星飞,施斌,蒋伟荣,胡冬枝,樊永良,龚大卫,张翔九,蒋最敏,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其...
[期刊论文] 作者：李宝军,万建军,李国正,刘恩科,胡冬枝,裴成文,秦捷,蒋最敏,王迅,
来源：光电子·激光 年份：2000
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达...
[期刊论文] 作者：朱海军,蒋最敏,郑文莉,姜晓明,徐阿妹,毛明春,胡冬枝,张翔九,王迅,
来源：物理学报 年份：1997
利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的......
相关搜索：
