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在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比,新形成的量子点被认为是存在位错的岛.
退火过程中自组织生长Ge量子点的变化
【摘 要】
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在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
：
国家自然科学基金;
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