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[学位论文] 作者：祝泽鑫,
来源：东南大学 年份：2021
作为单片智能功率芯片的核心功率器件,绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT）因其具有良好的集成性和易于驱动的优点,受到了广泛的关注。SOI-LIGBT器件的短路能力是决定单片智能功率芯片......
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