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[学位论文] 作者：王珣阳,,
来源：电子科技大学 年份：2015
功率开关中,晶闸管具有近乎完美的导通压降,金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)具有理想的控制特性。MOS栅晶闸管(M...
[期刊论文] 作者：王珣阳,潘建华,陈万军,,
来源：电子与封装 年份：2015
通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况，给出了IGBT加固的一般思路，提出并仿......
[会议论文] 作者：肖琨,陈万军,程武,杨骋,王珣阳,张波,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
为了优化功率开关器件导通压降与关断损耗的折衷关系,提出了一种低损耗JFET控制槽栅IGBT,即J-TIGBT.器件正向工作在闩锁状态,增强了阴极侧的电导调制效应,能有效减小器件导通...
[会议论文] 作者：杨骋,陈万军,肖琨,李震洋,王珣阳,张波,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
针对MOS栅控晶闸管在电力电子领域中的功率开关应用,本文在常规MGT结构的基础上提出了一种具有逆向导通结构的MGT,RC-MGT.一方面,该RC-MGT通过增加阴极短路结构解决了常规MGT...
[会议论文] 作者：杨骋[1]陈万军[1]肖琨[1]李震洋[1]王珣阳[1]张波[2],
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
针对MOS栅控晶闸管在电力电子领域中的功率开关应用,本文在常规MGT结构的基础上提出了一种具有逆向导通结构的MGT,RC-MGT.一方面,该RC-MGT通过增加阴极短路结构解决了常规MGT...
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