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[学位论文] 作者：洪荣墩,
来源：厦门大学 年份：2011
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化学腐蚀的特性。基于SiC材料这些优越的特性，Si......
[期刊论文] 作者：陈辰,钟金祥,洪荣墩,,
来源：电子技术与软件工程 年份：2014
为了研究制备二氧化硅(SiO2)光子晶体抗反射膜,采用激光干涉光刻法与电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术制备进行实验。激光干涉光刻法可实现灵活、快速制备大面积周期纳米结构,而ICP刻蚀具有良好的各向异性,扫描电子显微镜的图片(SEM)表明两种实验工艺制备的SiO2光子......
[期刊论文] 作者：钟金祥, 吴正云, 洪荣墩,,
来源：中国新通信 年份：2015
紫外波段的光探测器具有广阔的应用前景,本文结合传统的吸收-倍增-分离（SAM）和PIN结构,设计了一种新结构（APIN）的4H-Si C紫外光电探测器,模拟了其光电特性,并与传统的SAM和PIN结...
[会议论文] 作者：蔡加法,陈厦平,洪荣墩,吴正云,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级...
[期刊论文] 作者：黄俊,洪荣墩,陈厦平,吴正云,
来源：光学学报 年份：2008
介绍了利用KrF准分子脉冲激光对氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行激光退火以实现薄膜的结晶化。利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)在单晶Si(100)衬底上制备a-SiC∶H薄膜, 再用不同能量密度的激光对薄膜样品进行退火。分析表明, 选用合适能量密度的激光退火能......
[期刊论文] 作者：孙存志,洪荣墩,陈夏平,蔡加法,吴正云,
来源：化学物理学报 年份：2018
本文基于磁控溅射方法,功率从160W增加到240W,在石英衬底上沉积氧化铪薄膜(HfO2),并对沉积后的薄膜进行退火处理.利用X射线衍射谱、X射线光电子能谱、紫外-可见-近红外透射谱...
[会议论文] 作者：钟林瑛,洪荣墩,林伯金,蔡加法,吴正云,
来源：第十五届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM'2010) 年份：2010
4H-SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点,在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景.目前...
[期刊论文] 作者：张自锋,张志威,洪荣墩,陈厦平,吴正云,,
来源：量子电子学报 年份：2015
在常温下，用射频磁控溅射在石英衬底上沉积厚度约为200nm的Ti02薄膜，使用波长为248nm的KrF脉冲激光器，在不同功率密度下对薄膜样品进行辐照退火处理，并采用x射线衍射（xRD）、拉曼（Ram......
[期刊论文] 作者：钟林瑛,洪荣墩,林伯金,蔡加法,陈厦平,吴正云,,
来源：量子电子学报 年份：2011
应用ATLAS模拟软件，设计了吸收层与倍增层分离的（SAM）4H-SiC雪崩光电探测器（APD）结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响，对倍增层参数进行优化模拟，得出倍增层......
[会议论文] 作者：孙存志,林鼎渠,陈厦平,洪荣墩,蔡加法,吴正云,
来源：第十八届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：2016
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