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[期刊论文] 作者：河村力,辛水库,
来源：微电子学 年份：1980
前言 由于集成电路技术的发展,使256K位超大规模集成电路存储器的研制工作获得了成功,但器件微细化、高集成化目前正由于其中心技术——曝光技术和腐蚀技术等进一步发展而发...
[期刊论文] 作者：河村力,李世兴,
来源：微电子学 年份：1980
硅的微缺陷控制 1.硅晶体生长过程中微缺陷的消除 如本文第一部分所述,为了制作超大规模集成电路,必须进一步提高电路芯片的成品率,明确降低微缺陷密度的重要性。 为此,我们...
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