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[期刊论文] 作者:, 来源:中国光学 年份:2001
O437 2001042556非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析=Bistabilityof nonlinear Fabry-Perot cavity[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘杨,康博南,殷景志,...
[学位论文] 作者:殷景志,, 来源:山东大学 年份:2012
政治权威在全社会范围内发起大规模、单向度政治说服以培植政治认同,增强自身合法性即由官方所主导的政治社会化过程是自国家诞生以来就经久不衰的论题,“训导”正是这个过程...
[学位论文] 作者:殷景志, 来源:吉林大学 年份:2002
该论文由以下几部分组成:一、概述了InP基材料系的"能带工程"及在光纤通信中的特殊地位.二、对用MOCVD技术制备InAs/InP量子点的方法作了介绍;在以往研究的基础上,用气相外延...
[期刊论文] 作者:郑咏梅,殷景志, 来源:试验技术与试验机 年份:1997
本文介绍了一种根据光纤弯曲损耗检测液体浓度的工作原理和系统结构设计,该检测系统采用弯曲光纤探头作为传感器件,使用单片机进行控制和数据处理,实现了浓度测量的智能化,系统浓......
[期刊论文] 作者:殷景志,张伟刚, 来源:广西工学院学报 年份:1995
本文在研究一种特殊结构的光晶体管-异质结光晶体管的工作原理基础上,分析用宽带隙材料作发射区,可减少注入损耗,提高增益的特性。...
[期刊论文] 作者:郑咏梅,殷景志, 来源:半导体光电 年份:1997
介绍了一种利用弯曲光纤探头作为传感器件来测量液体浓度的系统,并使用单片机进行控制和数据处理,实现了系统的智能化。其结果表明,对于小区域的浓度测量,具有速度快、实时性强等......
[期刊论文] 作者:殷景志,龙北生, 来源:光电子.激光 年份:1997
本文叙述了在宽带单脉冲CARS测温装置中,利用参量振荡器OPO代替常用的染料激光器作为斯托克斯光源,背向照射CCD接收信号的新型CARS测温实验装置。...
[期刊论文] 作者:殷景志,王新强, 来源:半导体光电 年份:2000
介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP基应变补偿MQW的生长条件。更多还原...
[期刊论文] 作者:殷景志,王新强, 来源:功能材料与器件学报 年份:2000
采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs/InP自组装量子点是无序的。为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点。本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的......
[期刊论文] 作者:殷景志,王新强, 来源:光子学报 年份:2000
本文对张应变GaAs层引入使InAs/Inp量子点有序化排列的机制进行了分析,为提高InAs/Inp自组装量子点特性提供了理论依据。...
[期刊论文] 作者:钟江帆,殷景志, 来源:激光杂志 年份:1997
本文介绍了一种双光纤探头式浓度检测系统的工作原理和结构设计。该系统利用双光路比较电压的测量和单片机控制的数据处理系统进行浓度的实时性测量。实验结果表明,该系统具有......
[期刊论文] 作者:龙北生,殷景志, 来源:半导体光电 年份:1994
介绍一种经济实用的用普通磁带记录与回放超低频信号的方法,该方法在地质,建筑工程和医疗等行业中有一定的实用价值。...
[期刊论文] 作者:申铉国,殷景志, 来源:激光技术 年份:1998
经理论分析和初步实验说明了在2200K以下温度时,采用OPO作为宽带单脉冲CARS测温技术中的斯托克斯光源是可行的。...
[期刊论文] 作者:王永晨,殷景志,等, 来源:半导体学报 年份:2002
报道了采用不同的电介质薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其组合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源。在高纯氮气保护下经850℃、7s的快速退火处理,结果发现:含磷组分SiO...
[期刊论文] 作者:殷景志,李宪龙,等, 来源:吉林大学学报:理学版 年份:2002
提出一种采取倾角和张角相结合的器件结构抑制行波光放大器光激射的新方法。实验结果表明,抑制效果显著,制作工艺简单。...
[期刊论文] 作者:殷景志,胡礼中,张皓月, 来源:半导体光电 年份:1994
介绍了宽沟道SI-GaAs衬底上的BH激光器的制作,全部结构由两次外延形成,阈值电流为55mA。在I=2Ith时,P-I曲线仍保持良好的线性关系。...
[期刊论文] 作者:郑咏梅,殷景志,张铁强, 来源:半导体光电 年份:1997
介绍了一种利用弯曲光纤探头作为传感器件来测量液体浓度的系统,并使用单片机进行控制和数据处理,实现了系统的智能化。其结果表明,对于小区域的浓度测量,具有速度快,实时性强等优......
[期刊论文] 作者:殷景志,石家纬,张皓月, 来源:半导体光电 年份:1994
介绍了n-InP/p-InGaAsP/0-InP结构的异质结光电三极管制作过程,并获得了对1.3μm的入射光,光增益达220,用带尾纤的GaAs/GaAlAs发光管测量,光学增益达1470。The fabrication process of n-InP / p-InGaAsP / 0-InP heterostr......
[期刊论文] 作者:殷景志,沈澍乔,胡礼中, 来源:广西工学院学报 年份:1995
本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装SI衬底上的GaAlAs/GaAsBH激光器。其制造工艺简单,全部结构由两次外延形成,目前条宽6-8μm,腔长250μm的HB激光器已实现了室温连续工作,典型阀值电流为40-50mA,最低......
[期刊论文] 作者:殷景志,王志杰,石家纬, 来源:半导体光电 年份:1995
从理论上分析了用宽带隙材料作发射区的n-p-n光电晶体管可提高其发射区注入效率,就n-p-n光电三极管的增益特性进行了研究,给出了光增益与电增益的关系。...
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