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[学位论文] 作者：段兴凯,
来源：华中科技大学 年份：2008
Bi2Te3系热电材料由于其在微电子、光电子等高技术领域有潜在的应用前景,从而吸引了人们的广泛关注。低维Bi2Te3系材料由于具有特殊的量子限制效应,已成为提高热电性能的有效...
[学位论文] 作者：段兴凯,
来源：机械科学研究院 机械科学研究总院 年份：2001
该文研究了喷涂工艺规范对涂层的性能(包括结合强度、孔隙率和显微硬度)的影响规律;通过光学显微镜、XRD、SEM对涂层的显微组织进行了详细分析.用WPAS-01型电弧喷枪制备了Cu-...
[期刊论文] 作者：段兴凯,张国安,
来源：九江职业技术学院学报 年份：2002
介绍了电弧喷涂技术的原理和技术特点.电弧喷涂锌、铝制备涂层,广泛用于钢铁构件耐大气、淡水、海水和土壤环境的长效附腐.文中从工业及民用输水管道、普通钢结构、化工矿井...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2011
采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2Te2.85Se0.15热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
用瞬时蒸发法在加热到453K的玻璃基体上沉积出了厚度在40-160nm的多晶Bi纳米薄膜。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微术（FE-SEM）分析了薄膜的相结构和表面形貌。在300-350K研...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2010
以单质Bi,Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备了Bi2Te3纳米粉末。通过XRD,EDS,TEM和SAED分析方法对Bi2Te3粉末的物相结构、成分和形貌进行了表征。Bi2Te3纳米粉...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,
来源：电源技术 年份：2011
采用瞬间蒸发技术在温度为473K的玻璃基体上沉积了厚度为800nm的Ag掺杂Bi2（Te0.955Se0.05）3热电薄膜。利用X射线衍射（XRD）技术对薄膜的物相结构进行表征，采用表面粗糙度测量仪测定...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：电源技术 年份：2011
采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜。利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：稀有金属 年份：2011
以单质B i,Sb和Te粉末为原材料,通过真空电弧等离子体蒸发法合成了(B ixSb1-x)2Te3热电粉末材料。采用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS),场发射扫描电子显微术(FE-SEM),透射电...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2011
采用瞬间蒸发技术沉积了厚度为800 nm的P型Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜,并在373 K-573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：热加工工艺 年份：2011
以单质Sb、Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备Sb2Te3纳米粉末,当Sb∶Te的原子比为5.5∶4.5时,合成了Sb2Te3纳米粉末。通过XRD、SEM和EDS分析法对Sb2Te3粉末的物...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：热加工工艺 年份：2011
以单质Sb,Te粉末为原材料,采用真空电弧等离子体蒸发法对原材料进行加热、蒸发、气化并在收集体表面进行化学反应形成粉末,从而合成Sb2Te3热电粉末材料。研究了电弧电流和氩...
[会议论文] 作者：段兴凯;江跃珍;,
来源：2010中国材料研讨会 年份：2010
以单质Sb, Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备Sb2Te3纳米粉末,当Sb：Te的原子比为5.5比4.5时，合成了Sb2Te3纳米粉末。通过XRD, SEM和EDS分析方法对Sb2Te3粉末...
[会议论文] 作者：段兴凯;江跃珍;,
来源：第七届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2010
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[会议论文] 作者：段兴凯,杨君友,
来源：2006年全国博士生学术论坛——材料科学分论坛 年份：2006
本文采用闪蒸法在加热到47 K的玻璃衬底上制备了厚度在80-320 nm的Bi0.5sb1.5Te3热电薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微术研究了薄膜的显微结构和表面形貌。结果表明，薄膜...
[期刊论文] 作者：段兴凯,杨君友,朱文,肖承京,
来源：材料科学与工程学报 年份：2007
在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50—400nm的N型Bi：Te2，5Se0.5热电薄膜，沉积温度为473K。采用犯D、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究，...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,宗崇文,侯文龙,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2011
采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K～573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显...
[期刊论文] 作者：胡孔刚,段兴凯,满达虎,金海霞,,
来源：铸造技术 年份：2012
采用石英管真空封装高纯度的Sb、Se粉末,在800℃下熔炼12 h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,成功制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD,SEM...
[期刊论文] 作者：江跃珍,段兴凯,宗崇文,侯文龙,,
来源：热加工工艺 年份：2011
采用真空熔炼法合成(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800 nm的Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜。利用X射线衍射技术对薄膜的相结构进行表征...
[期刊论文] 作者：满达虎,王丽芳,段兴凯,胡孔刚,,
来源：热加工工艺 年份：2014
采用真空熔炼/研磨技术制备NaxBi2-xTe2.7Se0.3(x=0,0.02,0.04,0.06)热电材料粉末,利用热压烧结法制备块体样品。通过XRD和SEM对该材料的物相成分和断面形貌进行表征。结果表...
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