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采用瞬间蒸发技术在温度为473K的玻璃基体上沉积了厚度为800nm的Ag掺杂Bi2（Te0.955Se0.05）3热电薄膜。利用X射线衍射（XRD）技术对薄膜的物相结构进行表征，采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度，薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量，在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。Ag的掺杂浓度为0．2％，热电功率因子提高到16．1μW／（cm·K2）。Ag掺杂浓度从0．25％增加到0．5％，薄膜为P型半导体。热电功率因子呈减少的趋势。