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[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：半导体情报 年份：1998
综述了微型传感器及内米传感器的发展现状，叙述了微型传感器技术的发展趋势及其关键技术，并介绍了微型传感器技术在军事领域中的应用情况。...
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：微电子学 年份：1993
本文综述了八十年代末、九十年代初国外先进双极技术的发展动态。对外延基区双极技术,硼硅玻璃自对准双极技术等进行了详细的分析和叙述。...
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：微电子学 年份：1991
本文概述了集成电路可靠性的发展情况,着重对大规模集成电路的栅氧化层击穿、热电子效应、电迁移等失效机理进行了分析,并介绍了几种有关集成电路的可靠性试验和筛选方法。...
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：微电子学 年份：1991
本文详细叙述了减小双极超高速IC器件的横向尺寸和纵向尺寸的技术,着重在多晶硅基极接触、多晶硅发射极接触、开槽隔离方面作了具体介绍;对八十年代具有代表性的先进双极工艺...
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：微电子学 年份：1994
本文介绍了动态分频器的基本原理；详细叙述了动态分频器电路及其主要工艺技术；综述了国外动态分频器的发展动态。...
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：半导体技术 年份：1994
本文综述了国内外模拟集成电路的发展动态，叙述了国内模拟集成电路与国外的主要差距，针对国内的具体情况，提出了发展我国模拟集成电路的观点对策。...
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：微电子学 年份：1992
本文综述了国外近十年来超高速分频器集成电路的发展概况。着重介绍了反馈分频方式的原理。并叙述了采用几种先进硅双极工艺(如SST、SICOS、BSA等)制作的反馈分频方式的分频...
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：半导体技术 年份：1993
综述了近年来国外模拟集成电路的发展趋势,介绍了国外模拟集成电路的市场情况以及模拟IC器件和工艺技术的发展动态,在产品动态方面,着重介绍了运放 A/D、D/A转换器的情况....
[期刊论文] 作者：武俊齐,
来源：微电子学 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：R.Biswas,武俊齐,
来源：微电子学 年份：1991
AT&T公司在开关、信号传输产品中大量使用了混合集成电路,以提高集成度和可靠性,简化大系统的组装和测试。AT&T公司的新系统产品将采用一些I/O接头比现行设计多得多的混合集...
[期刊论文] 作者：L.J.Palkuti,武俊齐,
来源：微电子学 年份：1989
研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性...
[期刊论文] 作者：Biswa.,R,武俊齐,
来源：微电子学 年份：1991
AT&T公司在开关、信号传输产品中大量使用了混合集成电路,以提高集成度和可靠性,简化大系统的组装和测试。AT&T公司的新系统产品将采用一些I/O接头比现行设计多得多的混合集...
[期刊论文] 作者：Palk.,LJ,武俊齐,
来源：微电子学 年份：1989
研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性...
[期刊论文] 作者：武俊齐,赖凡,
来源：微电子学 年份：2020
信息处理系统由于基础半导体技术遭遇“摩尔定律接近终结”和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战.为克服这些制约因素,一方面,集成电路开始沿...
[期刊论文] 作者：武俊齐,赖凡,
来源：微电子学 年份：2020
目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装.硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术.它首先在军用微电...
[期刊论文] 作者：Marce Eleccion,武俊齐,
来源：微电子学 年份：1987
电子学革命也许是数字的,而自然界是模拟的。自然界规律的表现形式,如温度、压力和光等,为电子系统提供了输入信号。由于电子技术还在继续广泛地深入到工业、军事和商业部门...
[会议论文] 作者：徐世六,武俊齐,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文介绍了国外A/D转换器的研究进展现状及我国开展A/D转换器研究取得的成果,并提出今后应重点关注的几方面问题....
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