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[期刊论文] 作者：楚振生,朱永福,
来源：液晶与显示 年份：1996
本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ－Ｓｉ；Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＾＋ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎ＾＋ａ－Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到纲米能级上０．１６ｅＶ间的隙态密度分布为１０＾１５－１０＾１６（ｃｍ＾－３ｅＶ＾－１）。......
[期刊论文] 作者：崔翔天,楚振生,
来源：发光学报 年份：1996
本文讨论了等离子体化学气相沉积方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜。结果表明这种介质膜在到了薄膜电致发光器件所要求的各个......
[期刊论文] 作者：王玉芝,楚振生,
来源：中国激光 年份：1986
研究了镉蒸气等离子体的复合发光特性,各种不同的缓冲气体气压对镉蒸气等离子体的影响。...
[期刊论文] 作者：孙飞,马俊超,冀文芝,楚振生,
来源：现代科学仪器 年份：1995
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[期刊论文] 作者：楚振生,朱永福,袁剑锋,马凯,黄锡珉,
来源：液晶与显示 年份：1997
本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数......
[期刊论文] 作者：楚振生, 李炳生, 刘益春, 申德振, 范希武, 刘毅南,,
来源：发光学报 年份：2000
报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向(0002)的ZnO薄膜。通过X-ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构，择...
[期刊论文] 作者：崔翔天,楚振生,高鹏涛,王志军,常威,郑喜凤,孟宪信,
来源：发光学报 年份：1996
本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性......
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