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本文讨论了等离子体化学气相沉积方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜。结果表明这种介质膜在到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄膜材料。
PECVD介质膜性能研究
【摘 要】
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本文讨论了等离子体化学气相沉积方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜。结果表明这种介质膜在到了薄膜电致发光器件所要求的各个
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1996年3期
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