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[期刊论文] 作者：,
来源：半导体技术 年份：2003
鲜花遍野 桃李天下——痛悼梁春广院士逝世$《半导体技术》编辑部Please download to view, this article does not support...
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：微纳电子技术 年份：2003
推动科技创新见证我国微纳电子技术的发展——创刊周年献辞@梁春广Please download to view, this article does not support...
[期刊论文] 作者：张万生,梁春广,
来源：半导体情报 年份：1997
可见光ＬＥＤ的进展——超高亮度ＬＥＤ及应用（二）张万生梁春广（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）４超高亮度发光管的发展［９～１４］４．１ＩｎＧａＡｌＰＤＨＬＥＤ发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题...
[期刊论文] 作者：,
来源：微纳电子技术 年份：2002
主办单位中国微米纳米技术学会（筹备组）中国电子科技集团公司第十三研究所北京大学微电子研究所华北工学院大会主席：丁衡高学术委员会主席：王阳元梁春广周兆英组织委员会主席：张文...
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：世界科技研究与发展 年份：1998
叙述了当前以ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的崛起。由于其优良的特性，用于制造蓝色发光二极管和激光二极管，引起了世界蓝光热。它的研究不仅是高技术的前沿课题，而且是具有巨大市场......
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：半导体技术 年份：2001
1 全球半导体业出现高速增长热和投资热 1999年以来全球半导体产业呈现出高速增长的态势，并进入了一个持续增长期。 从美国半导体行业协会（SIA）目前公布的半导体中期预测......
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：半导体情报 年份：1989
能源无疑是当今世界上最为关注的问题之一,尤其是正在进行现代化建设的中国,国民生产总值要翻上去,能源和原材料消耗要降下来。如何解决能源匮乏的困扰,电力电子技术能助一臂...
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：半导体技术 年份：2000
半导体晶体管以及集成电路的发明和发展使计算机成为人类社会不可或缺的东西,这数得上是20世纪最重要的技术革命。那么,半导体引起的下一个技术革命将是什么呢?那就是半导体...
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：海峡药学 年份：2017
目的探讨磷酸瑞格列汀联用缬沙坦对健康志愿者药代动力学影响。方法选取平煤神马医疗集团总医院32例健康志愿者，随机分组，对照组16例，观察组16例，对照组单一口服磷酸瑞格列汀，观察......
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：微纳电子技术 年份：2002
通信收发机、天线等无线设备的发展趋势是高性能、小体积、低成本.微电子机械系统技术在这一趋势中显现了技术潜力.本文阐述了RF MEMS技术的现状....
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：半导体情报 年份：1993
回顾近半个世纪半导体的发展,无疑,硅材料器件及IC为代表的微电子技术起着核心作用。硅材料的超纯度、硅器件尺寸的微细度、硅IC的集成度神话般地呈现在世人面前。以“...
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：北方药学 年份：2018
目的:探讨氟伐他汀钠胶囊合用那格列奈片时体内的药代动力学特征。方法:抽取2014年11月~2016年8月平煤神马医疗集团总医院收治的64例代谢综合征患者,通过随机数字表法分组,各...
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：半导体技术 年份：2000
最近，UniversityofSouthCaroling的研究人员成功研制出蓝光LED，仅从适合于低成本大规模制造观点来看，就是一项重大突破。研究人员采用分子束外延技术（MBE）和低压金属有机汽相淀积（M......
[会议论文] 作者：梁春广;,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性，制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景，尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号...
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文报导在5厘米波段GaAsFET的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式曝光——金属剥离技术制作1微米栅条,采用挖槽法等,可以使GaAsFET性能进入3厘米波...
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：半导体情报 年份：2004
美国通用电气公司发展了一种使用紫外线的去胶方法。这一方法可提高工艺效率,又使工艺变得简单。如何去除剩余的抗蚀剂是半导体工艺中长期存在的问题。片子上的抗蚀——感光...
[期刊论文] 作者：梁春广,
来源：电子学报 年份：2004
在5cm波段GaAs FET研究的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8～1.μ的栅条,并采用深挖槽等方法,我们已试制出3cm的GaAs...
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：半导体情报 年份：1991
继硅微波晶体管(MWT)独占60年代之后,砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)在70年代和80年代出尽了风头,无论是通信、雷达、电子对抗,还是计算机都离不开它。正可谓掀...
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：半导体情报 年份：1971
一、引言本文的理论是寻求一个最快捷最简单的方法为目的的探索结果,它牺牲数值的精确度,而考虑物理参数对场效应晶体管的动态特性和动态参量有多大的影响,以及介绍一些具有...
[期刊论文] 作者：梁春广,,
来源：半导体情报 年份：1973
一、引言目前半导体器件制造中可以说是不可缺少光刻技术,对全工程(即指整个光刻工艺过程)的技术改进,其处理精度接近了受光的波长限制的阶段。但是,在用单一方法制作器件的...
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