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[期刊论文] 作者：林揆训,
来源：物理通报 年份：1997
1990年英国科学家Canham发现了多孔硅在摩温下光激发射可见光效应,立刻引起了世界科学界的轰动,在不到两年的时间,就发表了多达九百多篇有关的研究论文.当今,微电子集成...
[期刊论文] 作者：林揆训,,
来源：汕头科技 年份：2001
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[期刊论文] 作者：林璇英,林揆训,
来源：功能材料 年份：1992
在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。...
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：功能材料 年份：1993
在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电...
[期刊论文] 作者：姚若河,林揆训,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
本文介绍了一个对质谱图进行计算机辅助分析的方法，包括对输入信号的预自理确定谱峰的位置，提出了用正态分布函烽来拟合谱峰的形状，进而通过求解线性方程组来修正谱峰的强度。......
[期刊论文] 作者：林揆训,余云鹏,
来源：核聚变与等离子体物理 年份：1994
本文简要叙述了探针诊断技术的作用，比较了单、双探针测量技术的异同，分析了当前所碰到的主要问题和各种可能的解决办法。着重报导了我们提出和制作的加热调谐单探针装置，不仅抑......
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1990
非晶硅薄膜的高速沉积是非晶硅太阳电池低成本,大规模生产和推广应用的关键技术之一.我们采用预热反应气体.在小的射频功率流密度条件下.用热催化等离子体化学气相沉积方法....
[期刊论文] 作者：姚若河,林揆训,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1998
本文报道了采用四极质谱计实现在ＰＣＶＤ系统中对制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜时的硅烷射频辉光放电中性基团的在线测量。...
[期刊论文] 作者：符史流,林揆训,
来源：功能材料 年份：1994
本文介绍反射式非晶硅液晶光阀的研制方法，并对其光电性能进行了研究，提出非晶硅液晶光阀的参数设计模型。...
[期刊论文] 作者：石旺舟,林揆训,
来源：功能材料 年份：1997
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜......
[期刊论文] 作者：姚若河,林揆训,
来源：功能材料 年份：1998
本文报道了采用四极谱计在制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜地ＰＣＶＤ系统中对ＳｉＨ４射频辉光放是进行在线的质谱研究。获得取了在不同电离电压下的ＳｉＨ４质谱和不同辉光放电功率下的ＳｉＨ４质谱。......
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：功能材料 年份：1996
射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。探测和控制等离子体参数是选取最佳工艺条件、制备优质薄膜的关键问题。Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是获得等离子体荷电......
[期刊论文] 作者：石旺舟,林揆训,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
采用ＯＭＡ－４０００测量了ＳｉＨ射频辉光放电等离子体的光发射谱，研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明：在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中，其等离子体......
[期刊论文] 作者：林璇英,林揆训,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1990
我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度...
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
本文了ＰＣＶＤ过程中等离子体种种粒子和基团的诊断技术和方法，结合我们的研究工作，着重分析了诊断技术在发展过程中所碰到的难题及其解决办法和仍待解决的...
[期刊论文] 作者：林璇英,林揆训,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
非单晶氢基薄膜材料，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下发出可见光，发光强度强烈信赖于晶粒大小和结晶体在网络中的体积比。发光来源于量子尺寸效应和表面发光中......
[期刊论文] 作者：石旺舟,林揆训,
来源：材料研究学报 年份：1998
利用射频磁控共溅法制备了纳米ＧａＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜，通过Ｘ射线衍射，透射电镜和Ｘ射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系，结果表明，薄膜由晶态的ＧａＡｓ及非晶ＳｉＯ２组成，ＧａＡｓ在沉......
[期刊论文] 作者：符史流,林揆训,
来源：材料研究学报 年份：1995
用化学纯原料制备了大功率密度的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热膜，并分析其结构，研究了掺杂量、溶液浓度和退火处理对电阻及电阻温度特性的影响。用喷涂法制备大面积、性能稳定的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热膜，功率密度高达４０Ｗ．ｃｍ＾－２。......
[会议论文] 作者：林璇英;林揆训;,
来源：'96中国材料研讨会 年份：1996
采用静电探针和质谱在线测量子高速沉积具备器件质量非晶硅氢薄膜时的ＳｉＨ〈，４〉射频辉光放电等离子体的电子浓度、电子能量分布状态、空间反应产物成分及其与射频功率间的依赖关系......
[会议论文] 作者：石旺舟;林揆训;,
来源：'96中国材料研讨会 年份：1996
该文采用Ｘ射线衍射分析和透射电镜观察研究了共溅射法制备的ＧａＡｓ－ＳｉＯ〈，２〉复合薄膜的结构。其结果表明：薄膜由非晶态的ＳｉＯ〈，２〉和晶态的ＧａＡｓ两相组成；ＧａＡｓ颗粒的平均直径约为１０．６ｎｍ，且较均匀地弥散在ＳｉＯ〈，２〉介质......
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