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[学位论文] 作者：杨少延,
来源：吉林大学 年份：1999
该工作采用固体经验电子理论方法,对具有ABO型的Mott绝缘体的绝缘体-金属转变机制进行了理论计算研究.计算了它们在不同掺杂浓度下的价电子结构、键能、磁矩值、熔点、3d电子...
[期刊论文] 作者：杨少延, 庄花,,
来源：陕西中医 年份：2012
目的:观察宣肺利水、扶正祛邪类中药治疗难治性肾病综合征水肿的疗效。方法:采用宣肺利水扶正汤(麻黄、桂枝、黄芪、丹参、甘草、茯苓皮、猪苓、大腹皮、生姜皮、大枣)治疗本...
[期刊论文] 作者：陈涌海,杨少延,王占国,
来源：半导体学报 年份：2005
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌人中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响．根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度，发现当中间层材料的晶格常数比......
[期刊论文] 作者：李庚伟,吴正龙,杨少延,
来源：渤海大学学报(自然科学版) 年份：2005
通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析.结果表明:用该法可生长出正化学比的纯ZnO相,脉冲激光淀积(PLD)法生长ZnO/Si样品时氧离子束辅助(O+-assis...
[期刊论文] 作者：谭晓宇,杨少延,李辉杰,,
来源：化学学报 年份：2017
Ⅲ族氮化物合金因其宽广的可调能隙和优良的光电性能,在照明、电力电子、通讯、能源等领域有巨大优势,促使其材料制备技术不断发展.如何解决Ⅲ族氮化物异质外延过程中晶格及...
[期刊论文] 作者：张玲,徐新刚,杨少延,王桂花,
来源：中药材 年份：1995
本文探讨了丹参合理的醇沉工艺。采用薄层扫描法，以原儿茶醛为检测指标，考察了不同醇沉浓度对原儿茶醛的影响。实验结果表明，采用５０％或６０％醇沉浓度原儿茶醛损失较小。......
[期刊论文] 作者：柴春林,杨少延,刘志凯,陈诺夫,
来源：半导体学报 年份：2005
利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄...
[会议论文] 作者：韩东岳;孔苏苏;李辉杰;杨少延;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
氮化铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方...
[会议论文] 作者：杨少延;柴春林;刘志凯;廖梅勇;,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
采用低能O离子束辅助脉冲激光淀积(IBA-PLD)法进行ZnO薄膜外延生长研究。X射线衍射(XRD)结果表明，有低能O离子束辅助淀积，利用波长为532nm的Nd:YAG固体脉冲激光，在P-Si(111)衬底...
[期刊论文] 作者：李成明,苏宁,李琳,姚威振,杨少延,
来源：真空 年份：2021
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层...
[会议论文] 作者：冯玉霞,杨少延,魏鸿源,杨学林,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主...
[会议论文] 作者：冯玉霞,魏鸿源,杨少延,杨学林,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主要晶相.在生长Si(111)衬底AlN的过程中,出现了立方相AlN,通过研究材料生长工艺对薄膜中......
[期刊论文] 作者：刘力锋,陈诺夫,柴春林,杨少延,刘志凯,
来源：半导体学报 年份：2005
采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下...
[期刊论文] 作者：宋书林, 陈诺夫, 周剑平, 尹志岗, 李艳丽, 杨少延,,
来源：功能材料 年份：2004
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的...
[期刊论文] 作者：柴春林,杨少延,刘志凯,廖梅勇,陈诺夫,
来源：科学通报 年份：2003
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce...
[期刊论文] 作者：高洁,姚威振,杨少延,魏洁,李成明,魏鸿源,
来源：功能材料 年份：2021
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl结构,具有(111)面择优取向......
[期刊论文] 作者：高洁,姚威振,杨少延,魏洁,李成明,魏鸿源,
来源：人工晶体学报 年份：2021
利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉...
[期刊论文] 作者：刘力锋, 陈诺夫, 张富强, 陈晨龙, 李艳丽, 杨少延,,
来源：半导体学报 年份：2004
利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理...
[期刊论文] 作者：刘力锋, 陈诺夫, 张富强, 陈晨龙, 李艳丽, 杨少延,,
来源：功能材料 年份：2004
利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结...
[期刊论文] 作者：宋书林,陈诺夫,尹志岗,柴春林,杨少延,刘志凯,
来源：第五届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2004
利用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后......
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