低能离子束方法制备Mn-Si薄膜

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sherpa

【摘要】

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采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下

【作者】

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刘力锋陈诺夫柴春林杨少延刘志凯

【机构】

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中国科学院半导体研究所,中国科学院力学研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

低能离子束硅锰 X射线衍射

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号:60176001和60390072),国家重大基础研究发展计划(批准号:G20000365和G2002CB311905)资助项目

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采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.

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