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[期刊论文] 作者：李传皓,
来源：江西中医药 年份：1996
咽炎冲剂的制备与临床疗效李传皓（江西省上饶市中医院３３４０００）关键词咽炎冲剂，制备方法，临床应用慢性咽炎是厂种临床上因久治不愈反复发作、给患者带来极大痛苦的常见病。我院于１９８８年应用本...
[期刊论文] 作者：李传皓,
来源：江西中医学院学报 年份：1995
复肝灵冲剂的研制及临床应用李传皓（江西省上饶市中医院３３４０００）关键词复肝灵冲剂，制备方法，临床应用复肝灵冲剂是我院副院长、副主任医师王厚德历经１０年的潜心研究．经临床反复使用验证，最后...
[期刊论文] 作者：李传皓,,
来源：江西中医药 年份：1995
露蜂房冲剂治疗类风湿性关节炎李传皓（江西省上饶市中医院３３４０００）关键词露蜂房，临床应用蜂房药性平，味苦咸微甘，入肝肾胃三经。具有祛风定痉、解毒疗疮、散肿定痛，兴阳起痹等作用。对其关...
[期刊论文] 作者：李传皓,,
来源：中成药 年份：1991
琥珀明目益寿茶系我院名老中医徐远震副主任医师选用中医古方,用多种中草药配制而成。它具有清热泻火、明目益寿、润肠通便、降低血脂和胆固醇等功效。经现代药理研究和...
[期刊论文] 作者：李传皓,
来源：中成药研究 年份：1986
白扁豆传统炮制方法是用沸水浸泡、捻去皮,晒干,置锅中清炒或砂炒至微黄色略带焦斑。77年版药典记载,取净白扁豆照清炒法炒至微黄色具焦斑,用时捣碎。我们认为前者沸水浸泡...
[会议论文] 作者：李传皓,李忠辉,彭大青,潘磊,张东国,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提出一种AlGaN势垒层Al组分......
[期刊论文] 作者：杨乾坤, 张东国, 彭大青, 李传皓, 李忠辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2020
＜正＞南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm （6英寸）GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产半绝缘SiC衬底上高质量152......
[期刊论文] 作者：孙晨, 李传皓, 石瑞英, 苏凯, 高洪涛, 杜春雷,,
来源：光子学报 年份：2012
借助时域有限差分法,对几种常见金属纳米颗粒影响有机太阳能电池光吸收效率的因素及其内部物理机制进行了研究.首先对金属纳米颗粒激发局域表面等离子共振的场分布特点进行分...
[会议论文] 作者：李亮,罗伟科,李忠辉,董逊,彭大青,张东国,李传皓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
AlGaN材料的禁带宽度可以在3.39eV和6.2eV之间变化,对应的光吸收波长为200nm～365nm,并且,纤锌矿结构的AlGaN材料在全组分范围内均为直接带隙半导体,化学性质比较稳定,因此在紫外发光二极管和紫外探测器中有广泛应用[1-3].本文采用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上外延......
[会议论文] 作者：李忠辉,彭大青,李亮,倪金玉,董逊,罗伟科,张东国,李传皓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
近年来,因为晶格失配小、导热好等优势,SiC单晶已经成为生长GaN光电子和微电子器件的普遍选择.虽然SiC与GaN的晶格失配只有3.5％,但是二者的热膨胀系数还是存在不小的差异,通常在GaN外延薄膜中还残留不同程度的应力,导致较高密度的位错产生,影响器件的使用寿命和......
[会议论文] 作者：彭大青,李忠辉,张东国,李亮,倪金玉,董逊,罗伟科,李传皓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
在C面6H-SiC衬底上进行了MOCVD外延N极性GaN薄膜的生长实验.外延GaN之前先生长一层50nm厚高温AlN缓冲层用于缓解GaN薄膜和SiC衬底之间的失配应力,继续生长2μm GaN外延材料.实验表明,C面SiC衬底上可以生长出结晶质量和表面形貌较好的N极性GaN薄膜.......
[期刊论文] 作者：李忠辉,李传皓,彭大青,张东国,罗伟科,李亮,潘磊,杨乾坤,董逊,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材...
[会议论文] 作者：张东国,彭大青,李亮,董逊,倪金玉,罗伟科,潘磊,李传皓,李忠辉,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
利用低压MOCVD技术在硅衬底上生长了1.4um厚GaN材料,在高温GaN生长中插入一层AlN,成功消除了GaN表面的微裂,并研究了插入层温度对GaN外延薄膜残余应力的影响.为了研究不同温度AlN插入层对GaN外延层应力的影响,生长了两个具有不同温度的AlN插入层的样品.......
[期刊论文] 作者：代鲲鹏,张凯,李传皓,范道雨,步绍姜,吴少兵,林罡,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2022
通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内GaN肖特基二极管串联电阻的影响.在阳极面积分别为7.1、12.6、19.6μm2时,采用圆形阳极的二极管串联电阻分别为14、11、6Ω.相同面积下采用指形阳极的二极管串联电阻分......
[期刊论文] 作者：李忠辉,罗伟科,杨乾坤,李亮,周建军,董逊,彭大青,张东国,潘磊,李传皓,,
来源：物理学报 年份：2017
为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究发现,插入层生长温度是影响GaN同质外延膜表...
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