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[学位论文] 作者：曲里京,
来源：河北工业大学 年份：2021
随着集成电路的日益发展,生产工艺上铜已经成为首选的布线材料。目前,化学机械抛光（CMP）技术被认为是晶圆平坦化的最好方法之一。但抛光后沾污的颗粒会影响器件性能,最终导致电路失效。所以铜CMP后清洗工艺中对颗粒去除的研究是至关重要的。本论文重点讨论两种表......
[期刊论文] 作者：曲里京,高宝红,王玄石,吴彤熙,檀柏梅,
来源：电镀与涂饰 年份：2021
选用阴离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠(AES,体积分数0.1%)和非离子表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E,体积分数0.25%)复配的清洗液(pH=10.3)去除铜布线化学机械抛光(CMP)后表面残留的SiO2颗粒。研究了2种表面活性剂的体积比对复配溶液的润湿性能、在铜表......
[期刊论文] 作者：王玄石, 高宝红, 曲里京, 檀柏梅, 牛新环, 刘玉岭,,
来源：半导体技术 年份：2004
化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂——苯并三氮唑(BTA)在...
[期刊论文] 作者：吴彤熙,高宝红,郑晴平,王玄石,曲里京,檀柏梅,
来源：电镀与涂饰 年份：2021
简述了包括开路电位法、极化曲线法、恒电位法、电化学阻抗谱在内的常规电化学测试技术的原理。总结了近几年内这几种电化学测试技术在化学机械抛光领域研究中的应用现状,展...
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