【摘 要】
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化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂——苯并三氮唑(BTA)在
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院; 河北工业大学微电子技术与材料研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61704046);国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174,F2018202133)
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化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂——苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求。对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结。与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题。最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望。在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题。
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