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[期刊论文] 作者：忻尚衡,
来源：半导体学报 年份：1986
本文对调制掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结材料进行无包封过砷压下高温退火。与未经退火材料相比较,高温退火会引起调制掺杂材料的电学性质明显退化.基于Hall和I-V特性测量结...
[期刊论文] 作者：忻尚衡,L.F.Eastman,
来源：半导体学报 年份：1985
用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态的增强.与之有关的1.507eV,1.35eV两发射峰...
[期刊论文] 作者：李晓明,史常忻,忻尚衡,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验...
[期刊论文] 作者：周勉,忻尚衡,史常忻,
来源：核技术 年份：1987
GaAs集成电路要求FET有一致的夹断特性,而半绝缘GaAs衬底的质量对Si全离子注入的MESFET有着重大影响。这是由于高阻衬底中的Cr在离子注入和高温退火后的再分布,注入后载流子...
[期刊论文] 作者：忻尚衡,史常忻,李晓明,陈茵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
研究了适用于GaAs离子注入材料的石墨红外快速热退火方法,对Si~+注入GaAs材料进行950℃,6秒快速退火。从测得的电学特性,DLTS和GaAs MESFET的研究结果表明,红外快速热退火工...
[期刊论文] 作者：史常忻,忻尚衡,吴鼎芬,
来源：物理学报 年份：1987
本文计算了AlGaAs/GaAs异质结在大栅压下,出现“平行电导效应”时的栅压与平行导电层中电荷的关系。由此给出了高电子迁移率晶体管(HEMT)在大栅压时跨导变化的特性,与实验进...
[期刊论文] 作者：史常忻,李晓明,忻尚衡,陈益新,
来源：半导体学报 年份：2004
本文采用在半绝缘GaAs衬底中离子注入Be,于沟道有源层下引入P型埋层技术,制成P埋层GaAs MESPET(PB-GaAs MESFET).实验结果表明,PB-GaAs MESFET不仅使衬底上器件夹断电压的均...
[期刊论文] 作者：吴恒显,刘立人,赵新安,忻尚衡,
来源：中国激光 年份：1979
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[期刊论文] 作者：颜本达,史常忻,忻尚衡,周文英,
来源：半导体学报 年份：1988
高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄形有源层(10~(15)cm~(-2)),低能量,(...
[期刊论文] 作者：翁觉伟,忻尚衡,史常忻,陈益新,
来源：半导体学报 年份：1988
本文研究了用RF 溅射法形成之不同化学组份的WSi_x薄膜在退火前后的电阻率和内应力及WSi_x/n-GaAs肖特基接触的特性.结果表明:x的变化对薄膜及肖特基接触特性有严重影响,当x=...
[期刊论文] 作者：吴鼎芬,杨悦非,季良赳,忻尚衡,史常忻,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESF...
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