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[期刊论文] 作者：徐婉静,
来源：世界科学技术 年份：2001
中药饮片质量控制是中药现代化的关键之一,在探索中药饮片质量标准化生产的众多企业中,北京琪景饮片厂在选料和炮制工艺等方面,成为全国首家通过ISO9002国际质量体系认证的中...
[期刊论文] 作者：余海生,徐婉静,,
来源：微电子学 年份：2016
高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地...
[会议论文] 作者：徐婉静;陈彬;,
来源：2009年中华中医药学会中药药效提高与中药饮片质量控制交流研讨会 年份：2009
一个产品的生命周期是固定的，但只有不断尝试、不断创新才能继承发扬直到永久。作为北京市药品监督管理局在北京地区实施小包装中药饮片生产的企业，结合医改新政策中重点提及“......
[期刊论文] 作者：徐婉静, 牛建昭,,
来源：世界科学技术 年份：2003
北京琪景饮片厂是我国首家通过ISO9002国际质量体系认证的中药饮片企业,做为北京市药品监督管理局在北京地区实施小包装中药饮片生产的试点企业,一年来的体会可归纳为一个决...
[期刊论文] 作者：梅进义,徐婉静,
来源：发酵科技通讯 年份：2000
我国味精产量去年已达到59万t,超过世界总产量的一半。随着生产规模的扩大,排放的工业废水对环境污染也越来越严重,国家、省、市、环保局等部门对生产厂家作出限期治理...
[期刊论文] 作者：徐婉静,牛建昭,,
来源：世界科学技术-中药现代化 年份：2004
北京琪景饮片厂是我国首家通过ISO9002国际质量体系认证的中药饮片企业,做为北京市药品监督管理局在北京地区实施小包装中药饮片生产的试点企业,一年来的体会可归纳为一个决...
[会议论文] 作者：徐婉静,谭开洲,张静,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
为了获得性能良好的SiGeMOSSiO2栅介质薄膜,探索用低温热氧化工艺制作SiGeMOS栅介质,本文给出了实验结果,显示SiGe材料的氧化与硅材料氧化存在的差异,将氧化法生长的介质层与...
[期刊论文] 作者：李竞春,韩春,周谦,张静,徐婉静,,
来源：电子科技大学学报 年份：2007
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统...
[期刊论文] 作者：李垚,刘嵘侃,傅湘宁,徐婉静,
来源：中国科学技术大学学报 年份：2005
针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较...
[期刊论文] 作者：魏荣,郑力佳,李泰环,徐婉静,
来源：中国医药学报 年份：2004
当今社会已进人21世纪,医学创新已成为医学发展的一个突出问题[1],随着绿色天然植物药越来越受到人们的推崇,传统中药饮片的散装方式已经不能适应人们日益增强的自我保护意识...
[会议论文] 作者：刘嵘侃,张静,徐婉静,张正番,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文给出了两种典型的、目前已成熟应用于工业化生产的集成SiGeHBT结构,讨论了几种适合于生产化的较成熟的工艺技术,比较了这两种集成SiGeHBT结构外延技术.非选择性外延、传...
[期刊论文] 作者：谭静,李竞春,杨谟华,徐婉静,张静,
来源：电子工艺技术 年份：2005
为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏.霍尔测...
[期刊论文] 作者：李竟春,韩春,周谦,张静,徐婉静,
来源：电子科技大学学报 年份：2007
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题（〉1μm）,采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统S...
[期刊论文] 作者：谭静, 李竞春, 杨谟华, 徐婉静, 张静,
来源：微电子学 年份：2005
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应...
[期刊论文] 作者：李竞春,谭静,梅丁蕾,张静,徐婉静,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
针对SI／SiGe p-MOSFET的虚拟SiGe衬底厚度较大（大于1μm）的问题，采用低温Si技术在Si缓冲层和虚拟SiGe衬底之间MBE生长低温-Si层。SiGe层应力通过低温-Si层释放，达到应变弛豫。XRD...
[期刊论文] 作者：谭静,李竞春,杨谟华,徐婉静,张静,
来源：微电子学 年份：2004
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道...
[期刊论文] 作者：李竞春,谭静,杨谟华,张静,徐婉静,
来源：半导体学报 年份：2004
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟Si...
[期刊论文] 作者：李竞春,谭静,梅丁蕾,张静,徐婉静,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：李竞春,谭静,杨谟华,张静,徐婉静,
来源：半导体学报 年份：2005
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT- Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟S...
[期刊论文] 作者：李竟春,谭静,杨谟华,张静,徐婉静,
来源：半导体学报 年份：2005
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变SipMOSFETs．利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm．低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe...
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