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[期刊论文] 作者：彭自安,,
来源：电子学报 年份：2004
本文对微带型双列曲折线慢波结构中的场进行了分析。用数值求解法计算了电位函数U(y,z)和特征导纳Yc,推导出曲折线的色散方程和耦合阻抗表达式,并利用电子计算机计算了不同结...
[期刊论文] 作者：彭自安,,
来源：电子管技术 年份：2004
Ⅰ.引言随着通讯卫星的发展,要求不断改进行波管放大器的效率、热耗散和减轻重量。这些特性都是相互有关的。因此必须找出最佳折衷方案。三年前,德律风根公司就开始计划改进...
[期刊论文] 作者：彭自安,,
来源：电子管技术 年份：2004
随着行波管工艺水平的发展,所要求的螺旋线变得更加复杂。不易实现的增益指标和对电子转换效率要求的提高,都迫使我们回过头来研究绕制技术。用车床绕制等螺距螺旋线的传统...
[期刊论文] 作者：彭自安,,
来源：电子管技术 年份：2004
各种军事和商业系统皆迫切需要18千兆赫以上、能大量生产的螺施线行波管。本文描述一支输出功率为20瓦以上、小讯号增益为65分贝的K-波段连续波管子。基于低电压、高导流系数...
[期刊论文] 作者：何喜冠,
来源：微细加工技术 年份：1985
我们(长沙半导体工艺设备研究所何喜冠、吴关寿,北京真空电子器件研究所彭自安,平凉半导体专...
[期刊论文] 作者：BernardLevi,彭自安,,
来源：电子管技术 年份：1974
固体元件已可以代替低功率三极管和五极管,但是它们代替不了在那些需要大功率、要求获得和显示图象或者要求特殊性能及在恶劣环境条件下工作的设备所应用的一些专用电子管。...
[期刊论文] 作者：彭自安,朱洁,
来源：真空科学与技术 年份：1999
将ＣＶＤ方法制成的碳给米管沉积在钼针尖上，测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发体。同时还将其与纯钼针在场发射方面进行了比较。...
[期刊论文] 作者：彭自安,柯春,
来源：电子器件 年份：1994
本文概述Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的发展水平及其应用，介绍了在我们现在有工艺条件下，研制Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的情况。利用改装的蒸发沉积设备及射频磁控溅射技术在基片上的微孔阵列中制作发射尖锥，以制成场发......
[期刊论文] 作者：冯进军,彭自安,
来源：电子器件 年份：1994
利用薄膜边缘的强电场，可以制成场致发射电子源，它已成为真空微电子学的一个重要组成部分。这种类型的边缘场发射体阵列，杂散电容低，很适合于超高速器件，用它作成的开关元件，开关速......
[期刊论文] 作者：彭自安,冯进军,
来源：真空电子技术 年份：1996
真空微电子学是９０年代国外迅速发展的一门新学科，本文综述了１９９５年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展，研究工作十分活跃。Ｍｏ和ＳｉＦＥＡ都取得了新的进展。在微波管......
[期刊论文] 作者：彭自安,冯进军,
来源：真空电子技术 年份：1995
真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极，微三极管，感应输出放大器，分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用......
[会议论文] 作者：彭自安,冯进军,
来源：中国电子学会第七届学术研讨会(年会) 年份：1996
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[会议论文] 作者：冯进军,彭自安,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十届年会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,
来源：真空科学与技术 年份：1997
概述场致发射平板显示吕件的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对ＦＥＤ作出评价，介绍国际上在ＦＥＤ方面的竞争，展望了ＦＥＤ的前景。...
[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,
来源：真空电子技术 年份：1994
综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开发场发射平板显示器件研究的情况，概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。...
[期刊论文] 作者：彭自安,陈其略,
来源：薄膜科学与技术 年份：1991
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[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,
来源：真空电子技术 年份：1996
场发射显示器件正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍了ＦＥＤ的发展历史，列举了ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点，介绍了ＦＥＤ的工作原理，制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。......
[期刊论文] 作者：梁鹿章,彭自安,
来源：中国矫形外科杂志 年份：2000
目的：探讨预防四肢开放性粉碎性骨折发生骨不连的措施。方法：对１９９６－１９９８年四肢开放笥粉碎性骨折病人按入院时单双日分烃列，采用常规手术治疗。治疗组３４例，术后用谷康泰灵肌肉注射。结果：随访......
[期刊论文] 作者：陈铫生,彭自安,,
来源：电子管技术 年份：2004
前言目前国内在进行金属与陶瓷的封接、金属与金属的焊接时,还大量应用Ag-Cu焊料。例如银(72％)铜(28％)的共晶焊料,它的熔点约779℃,焊接温度在780℃以上,焊料的蒸发在瓷封件焊...
[期刊论文] 作者：彭自安,吴常津,,
来源：真空电子技术 年份：1986
引言在集成电路的研制和生产过程中进行动态检测和失效分析是十分重要的环节,现代生产实践表明只有先进的工艺是不够的,还须在工艺流程中配备必要的检测手段,把检侧结果及时...
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