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[期刊论文] 作者：张纪才,
来源：读与写(教师) 年份：2019
大学英语四六级考试,是我国大学生英语能力水平检测的重要方式,英语作为一把开启新世界大门的钥匙,对提高部队战斗力,提高一线指挥官遂行任务的能力有着不可忽视的作用,因此...
[学位论文] 作者：张纪才,
来源：北京大学 年份：2001
该文研究了C、Si等元素注入GaN材料的物理性质.尽管GaN材料在大功率微波器件、发光LED及场效应管等应用领域取得了长足的进展,但人们对其某些物理性质的了解至今仍然有限,特...
[期刊论文] 作者：张纪才,
来源：世界家苑·学术 年份：2018
摘 要：武警院校是输送武警部队人才的主要基地，在武警院校双重建设的大背景下，新“三项工程”的大力推进下，院校学科建设需要结合形势做出重要调整，以更好地完成担当，培养人才。本文主要围绕学科建设的重要性、制约因素以及学科建设的方向三方面进行了探析。 关键......
[期刊论文] 作者：张纪才,
来源：新教育论坛 年份：2019
摘要：本文以陈秀玲（2004）所采用的“外语课堂焦虑感量表”及“英语听力课焦虑感量表”的调查数据为基础，从结论，焦虑对英语成绩产生负影响入手，结合军校英语教学实际，提出相应的解决对策与方法。 关键词：军校学员；四六级考试焦虑；解决对策 焦虑（Anxiety）是一种紧张不......
[期刊论文] 作者：张纪才,
来源：新丝路:中旬 年份：2021
主观幸福感与心理弹性以及心理压力存在相关性,军校学员主观幸福感水平高低对学习训练效能有重要影响,本文采用幸福感指数量表对某军校学员进行调查研究,发现学员主观幸福感...
[期刊论文] 作者：张纪才,
来源：东方教育 年份：2018
摘要：在信息化教学的时代大背景下，传统教学模式已很难满足新时代的人才培养目标。针对“慕课”“微课”等新型教学模式的的相关研究越来越得到重视，但日语教学引入“慕课”的相关研究并不多见，本文主要探讨大学日语教学中引入“慕课”的必要性。 关键词：慕课 MOO......
[期刊论文] 作者：张纪才,赵清,
来源：城市建设理论研究（电子版） 年份：2004
同层排水技术现已成为我国排水管道敷设方式的主流，较以前的隔层排水方式有许多优点。其特点是排水管不穿越下层楼板，管道的维护和检修在设置卫生器具的同层进行。同层排水最根......
[期刊论文] 作者：张纪才,施海江,,
来源：商品混凝土 年份：2013
给排水施工是建筑工程的一个重要组成部分,其施工质量的好坏直接影响整个建筑工程的质量水平。以此为出发点,本文主要阐述了建筑给排水施工过程中的主要问题,提出了建筑给排...
[期刊论文] 作者：张纪才,戴伦,秦国刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响.当退火温度升高时,不管是哪一组样品,其黄光强度和黄光强度与带边...
[期刊论文] 作者：张纪才,王建峰,王玉田,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2005
用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并...
[期刊论文] 作者：张纪才,王建峰,王玉田,杨辉,
来源：物理学报 年份：2004
利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN GaN多量子阱结构缺陷 (如位错密度和界面粗糙度 )和光致发光的影响 .通过对 (0 0 0 2 )对称...
[会议论文] 作者：张纪才,王建峰,王玉田,杨辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30﹪,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接过0.在本实验条件中,由......
[会议论文] 作者：黄俊,张纪才,王建峰,徐科,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
近年来,氮化铝(AlN)及其合金受到广泛的关注.它们在很多领域,如日盲紫外光电探测器,紫外发光管器件,高功率、高频电子器件上具有重要应用价值.对于基于AlGaN量子阱的器件,尤其是高Al组分的AlGaN合金器件,晶格匹配度最好的衬底是AlN衬底.有些器件需要背面出光,所......
[期刊论文] 作者：陈俊,张纪才,张书明,朱建军,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2005
利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完...
[会议论文] 作者：陈俊,张纪才,张书明,朱建军,杨辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
运用低压金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的GaN外延层的表面平整,晶体质量较衬底有大幅的提高,透射电镜进行微区位错......
[期刊论文] 作者：张纪才,戴伦,秦国刚,应丽贞,赵新生,
来源：物理学报 年份：2002
研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱 ,特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰 ,如 2 98,36 2和 6 6 1cm- 1 峰的性质 ,峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和...
[期刊论文] 作者：金瑞琴,赵德刚,刘建平,张纪才,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2005
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ／Ⅲ比等生长参数的关系．GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小，而随TMGa流量的增加线性的...
[会议论文] 作者：孙茂松,张纪才,黄俊,王建峰,徐科,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
纤锌矿结构的AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.2eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料.由于自然界缺乏AlN同质衬底,AlN材料的制备必须始于异质衬底,较大的晶格失配和热失配,导致普通外延......
[会议论文] 作者：张纪才,黄俊,孙茂松,王建峰,徐科,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
AlN及其合金是深紫光电子器件和高频大功率微波器件的理想制备材料.然而由于AlN本身的材料特性,导致其生长制备比较困难.一般而言,其生长温度通常比较高,如国内外报道MOCVD和HVPE的生长温度一般在1400℃以上.本工作利用自主研制的高温HVPE系统,在不同衬底上研究......
[会议论文] 作者：黄俊,张纪才,孙茂松,王建峰,徐科,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
由于AlN具有禁带宽度大,热导率高,击穿电压高,与AlxGa1-xN合金材料晶格常数及热膨胀系数接近等特点,使得AlN成为AlxGa1-N基紫外光电子器件及高功率、高频电子器件最理想的衬底材料.AlN体材料的主要生长方法是物理气相沉积(PVT)和氢化物气相外延(HVPE).相比于PVT......
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