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[期刊论文] 作者：张子皇,王永鸿,马碧春,王惠林,,
来源：稀有金属 年份：2004
用水平三温区炉生长掺铬、氧、碲的砷化镓,在纯氢气流中,经780℃和800℃热处理一小时,制得了保持热稳定的半绝缘砷化镓单晶。在未掺氧的晶体中,达到半绝缘砷化镓的最低铬浓度...
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