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[学位论文] 作者：廖淋圆,
来源：湖南大学 年份：2020
过去的几十年里，随着基于硅(Si)材料的电力电子器件的发展，其电学特性已经趋于材料特性所决定的理论极限，这也严重制约了电力电子器件在高频、高温、高压等领域的应用。而碳化硅(SiC)作为新型宽禁带半导体材料，其禁带宽度、临界击穿电场、饱和电子漂移速率以及热导......
[会议论文] 作者：王俊,唐赛,廖淋圆,沈征,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
作为新型半导体材料功率器件的代表,碳化硅双极结型晶体管(SiCBJT)相较硅基晶体管有许多独特的优势,如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题,在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景.但其作为电流型器件,即使在较大的电流......
[期刊论文] 作者：蒋梦轩,沈征,王俊,帅智康,尹新,孙冰冰,廖淋圆,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
This letter proposes a novel IGBT structure with an n-type barrier(NB-IGBT) formed on the silicon surface to enhance the conductivity modulation effect with a r...
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