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[期刊论文] 作者：奚中和,,
来源：中医药研究杂志 年份：1986
风引汤见于《金匮要略·中风历节篇》的附方。其组成为大黄、干姜、龙骨各四两,性枝三两,甘草、牡蛎各二两,寒水石、滑石、赤石脂、白石脂、紫石英、石膏各六两。右十二...
[期刊论文] 作者：奚中和,
来源：大学物理 年份：1997
讨论了分子物理学教改的一些紧迫问题，介绍了在教学内容的现代化和结构体系的合理化等方面的尝试以及教学方法的探索。...
[期刊论文] 作者：奚中和,
来源：世界产品与技术 年份：2000
【正】 利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。 一、a-Si:H静电成像器件 静电成像...
[期刊论文] 作者：奚中和,
来源：中医药研究 年份：1991
辛开苦降法是辛温药与苦寒药相配伍的一种治疗方法。起源于《伤寒论》之泻心汤,以后不断有所发展,明清温病学派将此法用治湿热病证;近年来临床应用范围很广,特别在脾胃...
[期刊论文] 作者：奚中和,,
来源：老年教育（老年大学） 年份：2019
本大纲适用于中医养生专业课程,总学时为180学时,分六学期.rn一、课程任务rn本课程的主要任务是:1.熟悉中医的基础理论.2.了解中医诊治疾病的方法.3.掌握中医养生的具体方法:...
[期刊论文] 作者：奚中和,杨大同,
来源：电子科学学刊 年份：1984
本文评述并探讨了α-Si:H薄膜在电子学领域的种种应用。α-Si:H太阳电池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究课题仍是改进材料性质和器件参数,以提高电池的能量转换效...
[会议论文] 作者：海宇涵,奚中和,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十届年会 年份：1995
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[会议论文] 作者：海宇涵,奚中和,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十届年会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2008
由北京大学教授俞大鹏、冯孙齐、徐军、薛增泉、奚中和研究小组承担的“功能准一维半导体纳米结构与物理研究”荣获2007年度国家自然科学奖二等奖，名列“物理与天文”学科组第...
[期刊论文] 作者：张暐,奚中和,薛增泉,,
来源：物理学报 年份：2007
采用一种改进的化学气相沉积方法,成功地在石墨基底上自组装生长出以碳锥为支撑的、碳纳米管为芯的新型功能材料.该结构的材料可以用作扫描电子显微镜探针和场发射电子显微镜...
[期刊论文] 作者：林璇英,杨大同,奚中和,
来源：半导体学报 年份：1987
非晶硅太阳电池本征层厚度和费米能级位置是影响电池性能的两个重要物理参量.本文从理论上计算出PIN结内建场与本征层厚度和费米能级位置的关系.计算结果表明:为保证光生载流...
[期刊论文] 作者：刘明,王子欧,奚中和,何宇亮,
来源：物理学报 年份：2000
用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (...
[期刊论文] 作者：海宇涵,海灏,奚中和,张蔷,
来源：电子科学学刊 年份：1999
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的电荷放大增益,在10~5V/cm电场下,高达4.3×10...
[期刊论文] 作者：晏继文,张光华,冯意炯,奚中和,
来源：真空科学与技术 年份：1993
探测等离子体光发射谱(OES)强度的二维空间分布,借助其峰值大小和峰位变动及输运因子概念来描写和全面探讨了它们的分布特性,特别是等离子体中成膜物质基团的输运特性,以寻求...
[会议论文] 作者：邢英杰,奚中和,薛增泉,俞大鹏,
来源：中国真空学会五届三次理事会暨学术会议 年份：2001
本文研究了固-液-固(SLS)生长机制中催化剂与硅纳米线直径的关系,发现Si片上沉积的催化剂厚度和种类对硅纳米线的直径都有一定的影响.当使用Ni做催化剂时,硅纳米线的直径与Ni...
[会议论文] 作者：邢英杰,奚中和,薛增泉,俞大鹏,
来源：中国真空学会五届三次理事会暨学术会议 年份：2001
在镀Ni的Si衬底上用硅烷高温分解的方法由VLS机制制备了硅纳米线.在不同的实验条件下研究了VLS机制生长的三个阶段:结晶阶段、共熔阶段和生长阶段.特殊条件下制备的处于结晶...
[期刊论文] 作者：张兆祥,潘南生,奚中和,石自光,
来源：红外与毫米波学报 年份：1996
将液晶作为内腔物质的电调谐滤波器，测量了在红外波段不同条件下的透射特性，给出了大约１００ｎｍ的可调谐范围和约４０ｎｍ的自由光谱区．通过对透射谱的测定和计算得到了液晶折射率随驱动电压的变......
[期刊论文] 作者：张旭东,邢英杰,奚中和,薛增泉,张蔷,俞大鹏,
来源：真空科学与技术学报 年份：2004
用简单的无催化剂、高温热蒸发方法制备氧化锌纳米棒,得到了具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米棒,长度为(1-5)μm,直径约几十纳米.测量了ZnO纳米棒的光致发光特性.讨论了...
[期刊论文] 作者：何宇亮,奚中和,余明斌,李月霞,彭英才,刘明,
来源：半导体杂志 年份：1998
利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵列，只要其粒子尺寸足......
[期刊论文] 作者：彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,何宇亮,
来源：半导体学报 年份：1998
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到......
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