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[学位论文] 作者：唐有青,,
来源：四川大学 年份：2003
半导体工艺中无意引入的金属杂质的污染会极大损害器件性能，为了将金属杂质从器件的有源区吸除，吸杂技术被广泛的研究，器件尺寸的不断缩小和新的金属化工艺的不断出现更需要能在......
[期刊论文] 作者：李恒,唐有青,游志朴,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2003
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面...
[会议论文] 作者：骆红,谭卫东,唐有青,孙健,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
功率MOSFET是一种电压控制型单级晶体管，其有驱动电路简单、驱动功率小、高预特性好等优点。由于功率VDMOS管是由几百到几千个元胞组成的单管，因此必须采用超大规模集成电...
[期刊论文] 作者：唐有青,谭卫东,马利行,杨帆,张文清,
来源：电子与封装 年份：2009
硅外延是一种性能优良的半导体材料，在IGBT、大功率器件等领域中有着广泛的应用。FTIR（Fourier—Transform Infrared Spectrophotometry）技术是目前普遍采用的测量硅外延层厚度...
[会议论文] 作者：唐有青,谭卫东,骆红,杨帆,孙健,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
通过试验比较P型硅外延片的Hg探针C-V法测量电阻率中，直接测试和HF处理后测试电阻率值的差别，得出了实际应用HF处理P外延片的可行性及条件。...
[会议论文] 作者：谭卫东,马利行,骆红,唐有青,张文清,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在常压外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率＜0.02Ωcm的P型低阻衬底上实现了高阻厚层N型外延生长....
[会议论文] 作者：杨帆,谭卫东,骆红,唐有青,张文清,徐非,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
电子级的三氯氢硅(TCS)作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响硅外延层的性能。一般三氯氢硅(TCS)的纯度，除采用化学分析方法测试外，通常用生长本征外延层的方法来确定。......
[会议论文] 作者：谭卫东,骆红,唐有青,张文清,顾晓春,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了一种高压大功率微波PIN管用N型硅外延材料的制作工艺，即在常压外延设备上，采取特殊的工艺控制，在电阻率...
[期刊论文] 作者：谭卫东,唐有青,马利行,骆红,张文清,高涛,
来源：半导体学报 年份：2006
介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在PE-2061S外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长,外延层电...
[会议论文] 作者：谭卫东,马利行,唐有青,张文清,骆红,王霄,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间的宽度和掺杂浓度有特殊要求,通过外延工艺的...
[期刊论文] 作者：唐有青,李恒,游志朴,张坤,李仁豪,李作金,
来源：半导体光电 年份：2003
高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔.以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响.在适...
[期刊论文] 作者：谭卫东，唐有青，马利行，骆红，张文清，高涛，TanWeidong，TangYouqing，MaLixing，LuoHong，ZhangWenqing，GaoTao,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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