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[会议论文] 作者：孙世龙,曹小平,张光春,施正荣,汪义川,马丽雯,张凤亭,蒋仙,许朝民,周晔如,黄海涛,葛剑,
来源：第十一届中国光伏大会暨展览会 年份：2010
本文分析和讨论了单晶硅片一次缺陷和二次缺陷对太阳单晶硅电池片/组件的影响。一次缺陷主要指拉单晶过程中残存的热应力、位错、漩涡缺陷等。残存的热应力、位错会影响电池的机械性能，而漩涡缺陷导致组件表面在PL测试中形成环状热区。二次缺陷主要是电池工艺中......
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