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[期刊论文] 作者：周南生,
来源：四川建材 年份：2008
本文以某高层建筑工程为实例,对高层建筑转换梁结构施工进行了分析,并提出了相应的措施。...
[期刊论文] 作者：周南生,
来源：中国化工贸易 年份：2021
在对油气井的工业气样品取样作业中，比较广泛的使用真空灌注取样法。实际操作中，则会进一步采用样瓶浸水取样法、涂液法，去检验油气样瓶气密性。本文对取样工艺和设备进行阐述，并......
[期刊论文] 作者：周南生,
来源：中国化工贸易 年份：2021
在当前社会发展的过程中，对于汽油资源的需求量越来越大，且在实际应用的时候占据着重要地位，对其更好的进步发展有很大的帮助，能够为社会的进一步提升提供支持，所以在进行井试油试......
[期刊论文] 作者：,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1990
我校微电子所周南生副教授等的“耐熔金属硅化物”研究成果1989年12月通过部级技术鉴定。此项研究在国外始于80年代中期,该课题组立足国内设备条件,跟踪国际水平,历时两年,...
[期刊论文] 作者：达纪宣,
来源：四川党的建设 年份：2022
全国优秀共产党员、达州市离休纪检干部周永开对治家有着自己的心得,形成了“严、俭、勤”的“治家三字经”.rn治家第一准则——严rn“对不起,我知道错了,下次再也不会了.”周永开担任巴中县委书记期间,13岁的儿子周南生约同学看电影...,没钱买票,利用“我爸是周永开”的身份进入电影院.听闻儿子看“霸王”电影,周永开火冒三丈,立刻领着儿子去道歉,自己也当着电影院全体职工的面认错,还掏钱补了票.五十多年后,周南生仍忘不了这场“免费”电影的教训...
[期刊论文] 作者：宫俊,周南生,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1996
提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介持膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎ－ｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜，研究结果表明，采用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜。......
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1990
本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试...
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了Ti...
[期刊论文] 作者：严北平,周南生,
来源：微电子学 年份：1993
本文报道了以四氯化钛(TiCl_4)和硅烷(SiH_4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备硅化钛薄膜的方法;着重研究了气体流量比变化对薄膜电阻率、淀积速率以及化...
[期刊论文] 作者：严北平,周南生,
来源：无机材料学报 年份：1994
本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层......
[期刊论文] 作者：官俊,周南生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
电子波导器件是今后量子线十分重要的应用领域之一，本文从薛定谔方程出发，得出了有关量子线中传输电子特性的一组约束方程，也即描述量子线导特性的方程组，用数值法求解该隐含方程......
[期刊论文] 作者：孙铁囤,周南生,
来源：红外与毫米波学报 年份：1994
介绍一种新设计的薄膜型温差电堆红外探测器。该器件将吸收层与敏感面分两侧，用ＴＯ－５型封装的新结构。采用半导体工艺研制的Ф１型样品，其结集成度达２２个／ｃｍ＾２，响应率为３０～５０Ｖ／Ｗ，弛豫时间为７０～１２０ｍｓ，光谱响应范围......
[期刊论文] 作者：周凤蛟,周南生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用X射线衍射及I—V测量技术研究了W在Al/TiSi_2/Si接触系统中的作用,并与不加W阻挡层的情况作了比较。热稳定性的研究表明:在高达100℃退火时,W阻挡层能够阻止Al与TiSi_2的完...
[期刊论文] 作者：周凤蛟,周南生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
本文用x射线衍射及I—V测量法研究了Al/TiSi_2/Si系统热稳定性及肖特基势垒特性。热稳定性的研究结果表明;系统在550℃以下退火是热稳定的;在更高的温度下退火,Al开始与TiSi_...
[期刊论文] 作者：周南生,居水荣,
来源：传感技术学报 年份：1994
灵敏度和非线性是表征硅压阻式压力传感器性能的两个最重要参数,这是压力传感器的设计目标.最初出现的硅压阻式压力传感器都采用圆形均厚膜设计,但由于膜片本身...
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,严北平,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特...
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,严北平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了Ti...
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,严北平,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1990
本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试...
[期刊论文] 作者：周南生,宫俊,张文敏,,
来源：西北电讯工程学院学报 年份：1987
利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的氢浓度对MOS结构界面态影响较小,这主要是在...
[期刊论文] 作者：宫俊,周南生,张延曹,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1996
提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜．研究结果表明，采用Ｓｉ２Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜．The use of a Si3N4 / S......
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