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[期刊论文] 作者：吴阿慧,,
来源：佳木斯大学学报(自然科学版) 年份：2014
针对TN油田砂体发育规模小、井距大,仅依靠注采系统调整无法有效改善目前动用状况的情况,以精细地质解剖为基础,以多学科油藏研究为手段,对TN油田进行了局部井网加密调整开发...
[期刊论文] 作者：吴阿慧,
来源：半导体学报 年份：2005
介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的M...
[期刊论文] 作者：吴阿慧,
来源：半导体情报 年份：1995
本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入......
[期刊论文] 作者：吴阿慧,
来源：半导体情报 年份：1995
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结......
[期刊论文] 作者：Inoue,K,吴阿慧,
来源：半导体情报 年份：1995
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＣａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结构......
[期刊论文] 作者：Kwon,Y,吴阿慧,
来源：半导体情报 年份：1995
本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入......
[会议论文] 作者：吴阿慧,张海明,魏碧华,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件的直流性能和器件的射频特性.我们研究了晶格匹配的InGaAs/InAlAs/InPHEMT注入隔离技术,对注入隔离实验进行理论分析,选择适合于InP......
[期刊论文] 作者：康建磊,杨克武,吴洪江,吴阿慧,,
来源：半导体技术 年份：2011
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带...
[期刊论文] 作者：银军,李剑锋,余若祺,张博闻,吴阿慧,
来源：通讯世界 年份：2020
本文介绍了一种基于Ga As PHEMT材料的X波段大功率高效率内匹配器件的设计方法,根据小栅宽管芯提取的模型,在仿真平台中设计环境中利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入...
[期刊论文] 作者：刘桢,吴洪江,斛彦生,吴阿慧,银军,张志国,,
来源：微纳电子技术 年份：2013
基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗。使...
[会议论文] 作者：吴阿慧;西安电子科技大学(西安市);石顺祥;花吉珍;袁凤坡;,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文研究了一种新型的光波导阵列电光快速扫描器,分析了它的工作原理,分析了光波导阵列结构对输出光空间分布特性的影响,研究了器件的工艺制作过程及湿法腐蚀工艺的控制精度...
[会议论文] 作者：吴阿慧,西安电子科技大学(西安市),石顺祥,西安电子科技大学(西安市),花吉珍,西安电子科技大学(西安市),袁凤坡,西安电子科技大学(西安市),
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文研究了一种新型的光波导阵列电光快速扫描器,分析了它的工作原理,分析了光波导阵列结构对输出光空间分布特性的影响,研究了器件的工艺制作过程及湿法腐蚀工艺的控制精度对器件性能的影响.并通过实验验证了器件的扫描特性,指出这种光波导阵列器件可以实现二......
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