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目前GaAs基低噪声HEMT,包括用DBS的InGaAs/N-AlCaAsPHEMT已经商品化,且GaAs基功率HBT也将很快进入市场。尽管InP基HEMT或HBT仍处于研究与发展阶段,但由于它们特殊的电性能,它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结构和工艺过程中,晶格生长工艺的改进激发了一种新的趋势,提出并实现了一种用InP做有源层的新型器件结构。这篇文章主要描述了这样一种InP基H